20250621-国元证券-存储行业报告_AI需求和制程升级_行业加速步入新一轮增长周期_31页_3mb

半导体与半导体生产设备行业研究报告总结

研究重点与评级

• 行业趋势：AI需求与原厂产能结构调整推动行业增长，DRAM进入新一轮增长周期，推荐维持。
• 关键驱动：AI服务器、端侧应用带动DRAM需求和价格上涨，供需结构持续优化。

第一部分：DRAM市场与供需分析

• 二季度DRAM价格上涨超预期

• 在经历一季度库存去化后，二季度价格回升，尤其利基型存储芯片涨幅显著。
• DDR3/DDR4价格上涨主要来自供需失衡（关税、提前拉货）和产能退出；DDR5相对平稳。
• 服务器及AI对高规格DRAM（LPDDR5x、HBM）需求加速，预计2025Q3价格环比继续上涨5-10%。

• 2025年为供应结构变革关键点

• 原厂退出DDR4：三星、SK海力士加速退出DDR4产能，2025年部分厂商基本清退。
• 技术升级：DDR5/LPDDR5/HBM占比显著提升，SOCAMM标准推动技术路线革新。
• HBM需求爆发：AI服务器推动HBM出货，销售额占比从18%升至43%，三星、SK海力士主导。

• 需求增长点

1. AI端侧应用：智能手机、PC搭载AI大模型，推动DRAM容量及带宽需求。
   • 手机需求：单机DRAM容量从8GB/16GB升至24GB/36GB，LPDDR5T/LPDDR5X成主力。
   • PC需求：AI PC渗透率从19%升至60%，单机DRAM容量翻倍。
2. 服务器市场：AI服务器DRAM容量从1TB增至2TB，带动HBM需求。

第二部分：技术趋势与投资建议

• 技术演进

• DRAM 3D化：低节点制程（1b/1c）与混合键合（Hybrid Bonding）技术成为重点。
• 混合键合：降低热阻、提升带宽，HBM4预计于2026年量产，三星、SK海力士率先布局。

• 核心投资标的（评级&摘要）

1. 澜起科技（买入）

   • SOCAMM标准推动RCD业务量增长，CXL协议拓展及PCIe Retimer需求高弹性。
   • 25-26年营收预计54.8/71.1亿元，毛利率约40%，PE处于41-31倍。

2. 兆易创新（增持）

   • 利基型DRAM价格回升，与长鑫合作深化，DDR5与海外厂商竞争加速。
   • 25-26年净利润预计15.0/19.6亿元，PE为53-40倍。

3. 精智达（国产设备龙头）

   • 存储器检测设备需求增长，受益于国内3D DRAM、HBM产能扩张。

4. 江波龙、佰维存储

   • DRAM价格回暖带动业绩修复，布局AI存储及先进封装技术，国产品牌份额快速提升。

第三部分：风险与展望

• 上行风险

• DRAM价格超预期上涨、下游需求快速回暖、国产替代加速。

• 下行风险

• 宏观经济下行、价格回暖不及预期、产能释放不及预期。

附录：关键数据表格