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报告摘要

磷化铟正在成为AI新瓶颈

核心内容总结

磷化铟——高速光互连难以替代的核心材料

磷化铟（InP）作为III-V族化合物半导体，具备优异的光电性能，是当前光模块芯片的主流衬底材料。其宽禁带宽度（1.344eV）和高电子迁移率（5400cm²/V·s）使其在高速光电转换、激光发射、信号探测等领域具有不可替代性。

在光通信产业链中，磷化铟衬底可精准输出1310nm/1550nm两个低损耗“黄金波长”，适配500米级到10公里以上的长距离数据中心互联场景，而砷化镓（GaAs）仅适用于短距离传输（<50m）。随着AI算力集群的发展，光模块向800G/1.6T及更高速率迭代，磷化铟成为满足高速、远距离传输需求的关键材料。

据英伟达预测，2026-2030年全球磷化铟晶圆需求将激增20倍左右，但当前全球有效产能仅提升至75万片左右，缺口仍达70%以上。磷化铟的供给弹性受限于原材料释放节奏，尤其是高纯红磷的短缺，成为制约其产能扩张的关键因素。

铟——多国列管关键矿产，磷化铟的核心上游

铟是磷化铟生产的关键上游材料，其供应受伴生属性限制，全球95%以上的铟来源于锌矿冶炼副产品，因此其供应弹性极低。中国是全球铟资源和原生铟供应第一大国，精炼产量占全球约70%。

尽管中国具备铟资源和供应优势，但7N级高纯铟仍依赖进口，进口依赖度达68%。国内企业如锡业股份、豫光金铅、株冶集团、锌业股份等正在加速技术突破，提升高纯铟的国产化率。

2025年2月，磷化铟被纳入《两用物项出口管制清单》，2026年6月又被纳入《矿产资源法实施条例》36种国家级战略性矿产资源目录，出口管控趋严，进一步推升铟价。

高纯红磷——壁垒极高的磷化铟原料，国产替代极其紧迫

高纯红磷是磷化铟衬底制造的核心原料，纯度需达到6N至7N级别，杂质控制在ppb级别，对技术、设备、审批、认证等要求极高。目前，全球高端高纯红磷市场被日本长濑化学、RASA工业两家公司垄断，合计占据80%以上市场份额。

国内企业如威顿晶磷、兴发集团、拓材科技、先导科技等正在加速国产化突破，6N已实现量产，7N产能建设与小试进展顺利。随着AI光互连需求激增，高纯红磷市场空间预计从2025年的2.11亿美元增长至2032年的3.44亿美元，CAGR达7.3%。

衬底与外延——日美寡头供给刚性凸显，国产厂商导入窗口期

InP衬底是磷化铟产业链的核心环节，其生产工艺复杂，扩产周期长，投资巨大。全球InP衬底产能主要由日本住友电工、美国AXT、日本JX金属三家企业占据，合计占比超90%。国内企业如云南锗业（鑫耀）、先导微电子、光智科技等正加速国产替代进程。

2025年全球InP衬底需求约200-210万片，有效产能仅60-70万片，缺口达70%以上。2026年需求预计飙升至260-300万片，有效产能仅提升至75万片，缺口依旧显著。6英寸衬底因其降本优势，成为行业关注的焦点，目前仍由海外主导。

外延环节是磷化铟产业链中技术壁垒最高的环节，主要工艺包括MOCVD和MBE。外延晶圆市场高度垄断，IQE、住友电工、AXT等企业占据主导地位。6英寸及以上大尺寸晶圆对降本意义重大，海外企业如Coherent、Lumentum等正加速布局。

投资建议

建议重点关注以下企业：

铟环节：锡业股份（000960.SZ）、豫光金铅（600531.SH）、株冶集团（600961.SH）、锌业股份（000751.SZ）等，这些企业在高纯铟研发与生产方面进展显著，具备国产替代潜力。
磷环节：兴发集团（600141.SH）、兴福电子（688545.SH）等，正在推进电子级高纯红磷的研发与量产。
衬底环节：光智科技（300489.SZ）、云南锗业（002428.SZ）、兴业科技（002674.SZ）等，具备6-4英寸磷化铟衬底生产能力，正在加速6英寸产线建设。