20211022-东吴证券-电子行业研究报告_IDM_or_Fabless__is_that_a_question__26页_2mb

电子行业研究报告总结

核心内容

本报告探讨了半导体产业中IDM（集成器件制造）与Fabless（无晶圆厂）两种商业模式的演变历程，分析了它们在半导体产业发展不同阶段的角色和优势，并结合行业趋势提出了投资建议。

主要观点

• IDM模式：在半导体产业初期（1947-1984年）是主流，因为设计和制造工艺高度依存，需要整合资源进行产品开发。
• Fabless模式：随着半导体制造成本上升，Fabless成为初创公司的优选模式，通过外包制造环节实现降本增效。
• Foundry模式：随着半导体产品出货量增加，Foundry应运而生，凭借规模效应和标准化工艺成为晶圆代工市场的主力。
• 模式演进：IDM与Fabless的分工模式体现了半导体产业在不同发展阶段的特征，IDM适合设计与工艺高度耦合的领域，而Fabless则更适用于需要快速迭代和成本控制的场景。
• 算力下沉：从大型机到PC、再到智能手机，算力逐渐从企业级下沉到个人层面，推动了半导体产品的普及与创新。
• IP的兴起：IP（知识产权）成为Fabless模式的重要支撑，降低了设计门槛，促进了半导体产业分工。

关键信息

半导体产业模式演变

• IDM模式：在1947-1984年是主流，代表企业包括英特尔、德州仪器、仙童等。
• Fabless模式：1984年Xilinx的创立标志着Fabless模式的开始，后于1987年台积电的成立推动Foundry模式的发展。
• Foundry模式：1987年台积电成立，随后成为晶圆代工市场的核心，具备规模效应和成本优势。

技术发展与产品演进

• 1947年晶体管的发明开启了半导体产业进程。
• 1948年结型晶体管成为半导体产品的基础。
• 1952年扩散工艺、1955年光刻工艺、1960年外延工艺等相继出现，构成半导体制造工艺的基本要素。
• 1959年平面工艺和MOSFET的发明，为集成电路和分立器件的发展奠定了基础。
• 1963年CMOS电路技术提出，成为逻辑电路的基础。
• 1967年非挥发存储器的发明，成为EPROM、EEPROM和Flash的基础。
• 1968年DRAM的发明，成为内存的标准形态。
• 1979年IGBT的构想为电力电子应用奠定基础。
• 1980年NOR Flash的发明，1987年NAND Flash的发明，成为非易失性存储技术的基础。

市场趋势与投资建议

• 市场趋势：半导体产业从IDM模式向Fabless+Foundry模式演变，推动了全球分工和产业生态的成熟。
• 投资建议：
  • 重点推荐：卓胜微、斯达半导、恒玄科技、全志科技。
  • 建议关注：韦尔股份、格科微、士兰微、时代电气、中芯国际、华虹半导体。
• 风险提示：
  • 市场需求不及预期。
  • 新品推出不及预期。
  • 客户开拓不及预期。

表格摘要

表1：相关公司盈利预测及估值

表2：1947-1987年发明的半导体基础技术

图表摘要

图1-图44

• 图1-图3：展示了IDM的概念、半导体IDM企业、关键结构、工艺和产品，以及MOSFET的结构设计和加工工艺。
• 图4-图6：呈现了半导体商业模式、Fabless和Foundry企业的兴起，以及Apollo制导计算机的微逻辑门。
• 图7-图10：展示了晶体管在军事、航空航天和消费场景的应用，以及早期消费电子产品如助听器、收音机和计算器的演进。
• 图11-图15：呈现了摩尔定律、计算机的发展历程和算力下沉的趋势。
• 图16-图22：展示了半导体产品公司数量、晶圆产线成本、IP市场的发展及Fabless与IDM的对比。
• 图23-图39：呈现了Foundry模式的兴起、台积电的制程升级历程，以及Fabless+Foundry的正反馈效应。
• 图40-图44：展示了Fabless+Foundry的协同效应、全球化分工模式及全球前十大半导体公司的发展历程。

总结

本报告全面回顾了半导体产业中IDM与Fabless模式的演变，指出随着算力下沉和市场需求的扩大，Fabless+Foundry模式成为主流。同时，IDM模式在某些领域仍具有不可替代的作用。报告还对相关公司进行了盈利预测与估值分析，并提出了重点投资标的和风险提示，为投资者提供了详实的参考依据。