2017-2017美光科技企业专利报告_22页-3mb

报告摘要

本报告主要分析了美光科技在全球存储芯片行业中的技术布局、专利情况及应对韩系企业（如三星、SK Hynix）竞争的策略，同时探讨了这些策略对中国存储芯片企业发展的启示。

存储器芯片市场由韩国、美国和日本主导，其中三星、SK Hynix占据主导地位。
中国在存储芯片领域取得了重要进展，2013年自主研发55纳米相变存储芯片，成为全球第三个掌握该技术的国家。
中国在存储芯片产业上形成了三大发展力量：合肥长鑫、武汉存储器芯片基地、福建晋华集成。
- 合肥长鑫投资约500亿元，建设月产能12.5万片的12英寸晶圆厂。
- 武汉基地预计2018年建成，2020年月产能达30万片，2030年达到100万片，目标成为世界级存储器生产基地。
- 福建晋华集成与联电合作，生产利基型DRAM，12英寸厂房已动工，初步产能为每月6万片。

被引用最多的专利：
- US5128831（被引用635次）：高密度电子封装技术。
- US5910776（被引用567次）：用于确定监测设备的定位方法。
- US5448110（被引用531次）：封闭的收发信机。
- US6962867（被引用491次）：半导体骰子的背面重新分配层技术。
- US5485595（被引用477次）：快闪记忆体海量存储体系结构。
专利家族规模最大的专利：
- US5835935（家族规模164）：自动控制系统数据结构与方法。
- US4899107（家族规模121）：离散模具烧入技术。
- DE10196011T1（家族规模120）：读取Flash与延迟一致技术。
- US6341322（家族规模95）：两条总线接口方法。
权利要求数量最多的专利：
- WO1998054727A2（权利要求数量812）：256兆动态随机存取存储器。
- US6818460（权利要求数量418）：粘合剂施加方法。
- US20030040918A1（权利要求数量284）：数据压缩方法。
- WO2008097448A2（权利要求数量262）：半导体衬底和冷却方法。

保持创新：
- 美光加速了1Xnm DRAM的研发，防止被三星拉开差距。
- 推出GDDR6显存，以应对高性能GPU需求的增长。
- 在存储技术上，美光积极研发3D XPoint技术，结合了DRAM的高速与NAND的非易失性特性。
收购与整合：
- 收购尔必达（ELPIDA）以扩大DRAM产能。
- 收购Tidal Systems以获得SSD主控芯片技术，提升SSD产品的竞争力。
合作：
- 与Intel合作，构建3D XPoint联盟，共同推动新一代存储技术的发展。
- 通过合作加速3D XPoint量产产品Optane™的面世。

技术布局与专利战略：
- 专利是企业核心竞争力的重要体现，需加强专利布局。
- 美光的专利申请量虽然在2008年后有所下滑，但随着市场需求增长，申请量又逐步回升。
创新与市场响应：
- 创新是科技企业发展的生命线，美光通过技术突破和产品升级应对市场变化。
- 面对市场压力，美光选择收购与合作，提升自身技术实力与市场占有率。
全球化视野：
- 美光在全球范围内布局专利，使其产品能够覆盖全球市场。
- 中国存储芯片企业也需加强国际专利布局，提升全球竞争力。
战略灵活性：
- 美光通过灵活的战略调整，如收购、合作、创新，成功应对了行业挑战。
- 中国存储芯片企业也应具备类似的灵活性，以应对未来可能的市场变化。