2024-08-29-上交所科创板-陕西源杰半导体科技股份有限公司2024年半年度报告_188页_2mb
报告摘要
陕西源杰半导体科技股份有限公司2024年半年度报告总结
公司基本信息
- 公司简称:源杰科技
- 公司代码:688498
- 公司全称:陕西源杰半导体科技股份有限公司
- 公司法定代表人:ZHANG XINGANG
- 注册地址:陕西省西咸新区沣西新城开元路1265号
- 办公地址:与注册地址一致
- 公司网址:http://www.yj-semitech.com/
- 电子信箱:ir@yj-semitech.com
财务指标概览
| 项目 | 本报告期(1-6月) | 上年同期 | 增减幅度 |
|---|---|---|---|
| 营业收入 | 120,158,866.69元 | 61,319,058.10元 | +95.96% |
| 归属于上市公司股东的净利润 | 10,751,292.01元 | 19,391,086.23元 | -44.56% |
| 扣除非经常性损益的净利润 | 9,470,244.29元 | 4,117,952.30元 | +129.97% |
| 基本每股收益 | 0.13元/股 | 0.32元/股 | -59.38% |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收益 | 0.11元/股 | 0.07元/股 | +57.14% |
| 加权平均净资产收益率 | 0.50% | 0.91% | 减少0.41个百分点 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率 | 0.44% | 0.19% | 增加0.25个百分点 |
| 研发投入占比 | 18.35% | 21.52% | 减少3.17个百分点 |
财务指标说明
- 营业收入增长显著:主要得益于光芯片行业在2023年半年度后有所恢复,公司产品线丰富,带动收入增长。
- 净利润下降:主要由于政府补助同比减少。
- 扣非净利润增长:受益于收入增加和产品结构优化。
- 每股收益下降:由净利润减少和股本增加共同导致。
- 净资产收益率下降:与利润减少相关,但扣非后有所回升。
- 研发投入下降:因收入增加,研发投入占比下降。
主要经营模式
1. 销售模式
- 以直销为主、经销为辅。
- 市场与销售部负责客户开发、产品推广及维护。
- 根据客户需求制定销售计划,并协调生产、研发及交付工作。
2. 采购模式
- 采购部根据生产计划及库存需求制定采购方案。
- 品质部负责原材料检验,确保采购质量。
- 各部门根据经营需要制定采购计划,由采购部统一执行。
3. 生产模式
- 采用IDM模式(集成设备制造),覆盖设计、制造、封装测试全流程。
- 拥有多条自主可控的生产线,包括MOCVD外延、光栅工艺、光波导制作等。
4. 研发模式
- 以《设计和开发控制程序》为指导,分为6个阶段:立项、设计输入输出、工程验证测试(EVT)、设计验证测试(DVT)、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化(PVT)。
- 各阶段需满足相应条件,确保产品可靠性和性能达标。
核心技术与研发进展
主要核心技术
- 异质化合物半导体材料对接生长技术:实现大功率、高可靠性的激光器芯片制造。
- 高速调制激光器芯片技术:实现25G、50G PAM4 DFB激光器芯片规模化生产。
- 电吸收调制器集成技术:突破100G PAM4 EML激光器芯片海外垄断。
- 小发散角技术:提升光耦合效率,降低封装成本。
- 抗反射技术:集成于芯片结构,减少对进口隔离器的依赖。
- 掩埋型激光器芯片制造平台:提升电光转换效率,适用于数据中心及接入网。
- 脊波导型激光器芯片制造平台:实现10G、25G激光器芯片的高性能、高可靠性量产。
- 集成式光芯片高可靠性技术:兼顾不同区域的可靠性要求,适用于多种场景。
- 大功率激光器高可靠性技术:满足大电流、高功率操作场景下的可靠性需求。
- 光放大器集成芯片制造平台:适用于长距离和高分光比场景,降低链路成本。
- 高速激光器芯片封装技术:实现信号匹配和抗干扰处理,提升封装效率。
研发成果
- 截至2024年6月30日,公司累计获得各类知识产权46项,其中发明专利17项,实用新型专利15项,商标10项,作品著作权4项。
- 报告期内新增知识产权4项,主要为发明专利和商标。
研发投入情况
- 费用化研发投入:22,052,020.00元,同比增长67.12%。
- 研发投入占营业收入比例:18.35%,同比减少3.17个百分点。
在研项目情况
公司共开展16个研发项目,总预计投资160,742,400元,累计投入22,052,020.00元。各项目进展如下:
| 项目名称 | 预计总投资 | 本期投入 | 累计投入 | 进展 | 目标 | 技术水平 | 应用前景 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 工业级50mW/70mW大功率硅光激光器开发 | 6,900,000.00元 | 836,528.47元 | 3,702,355.68元 | 具备量产能力,良率优化 | 实现产业化 | 国内领先、国际先进 | 数据中心、光计算、硅光应用 |
| 25GLWDM激光器开发 | 11,520,000.00元 | 1,155,510.63元 | 10,843,537.43元 | 具备量产能力,良率优化 | 实现产业化 | 国际领先 | 数据中心、4G/5G无线领域 |
| 2.5G长距离传输、大功率工业级DFB激光器 | 9,900,000.00元 | 11,609.37元 | 7,666,967.50元 | 批量出货 | 实现产业化 | 国际领先 | 接入网 |
| 25/28G双速率数据中心CWDMDFB激光器 | 23,360,000.00元 | 55,215.64元 | 21,559,738.67元 | 具备量产能力,良率优化 | 实现产业化 | 国际领先 | 数据中心、4G/5G无线领域 |
| 50GPAM4DFB激光器开发 | 13,080,000.00元 | 2,104,181.35元 | 8,434,047.52元 | 具备量产能力,良率优化 | 实现产业化 | 国内领先、国际先进 | 数据中心 |
| 100G EML激光器开发 | 38,700,000.00元 | 10,818,161.45元 | 27,429,800.20元 | 客户导入阶段 | 实现产业化 | 国内领先、国际领先 | 数据中心、接入网 |
| 50G及以下、100G光芯片的可靠性机理研究 | 18,875,000.00元 | 1,327,765.94元 | 13,651,285.26元 | 项目验收阶段 | 实现产业化 | 国际先进 | 所有光通讯领域 |
| 用于新一代5G基站的高速DFB芯片设计和制造技术 | 4,480,000.00元 | 804,449.25元 | 2,247,217.61元 | 具备量产能力,良率优化 | 实现产业化 | 国内领先、国际先进 | 5G无线领域 |
| 大功率EML光芯片的集成工艺开发 | 2,080,000.00元 | 39,291.29元 | 582,705.40元 | 项目验收阶段 | 实现产业化 | 国内领先、国际先进 | 数据中心、接入网 |
| 1550波段车载激光雷达激光器芯片 | 1,424,000.00元 | 349,099.65元 | 876,706.02元 | 客户导入阶段 | 实现产业化 | 国际领先 | 车载激光雷达领域 |
| 3寸DFB激光器开发 | 2,600,000.00元 | 320,322.17元 | 2,410,013.12元 | 批量验证阶段 | 实现产业化 | 国内领先、国际先进 | 所有光通讯领域、车载激光雷达、气体探测 |
| 200G PAM4 EML 激光器开发 | 10,400,000.00元 | 600,796.56元 | 1,036,661.20元 | 产品开发阶段 | 实现产业化 | 国际先进 | 数据中心、接入网 |
| 工业级100mW大功率硅光激光器开发 | 5,200,000.00元 | 1,761,456.99元 | 2,098,198.65元 | 客户导入阶段 | 实现产业化 | 国际先进 | 数据中心、光计算、硅光应用 |
| 50G PON EML 激光器开发 | 5,200,000.00元 | 204,882.39元 | 297,289.41元 | 客户导入阶段 | 实现产业化 | 国际先进 | 接入网 |
| 集成半导体光放大器的50G探测器芯片的设计与制造研究 | 2,427,000.00元 | 894,897.21元 | 1,636,223.36元 | 产品开发阶段 | 实现产业化 | 国际先进 | 接入网 |
| 10G及以上抗反射 | 726,400.00元 | 139,223.95元 | 146,514.30元 | 客户导入阶段 | 实现产业化 | 国际先进 | 接入网、传输网、无线领域 |
| 25GLWDM EML 激光器开发 | 3,870,000.00元 | 628,627.69元 | 628,627.69元 | 客户导入阶段 | 实现产业化 | 国际先进 | 承载网 |
主要行业分析
所属行业
公司专注于光芯片制造,属于“C3976光电子器件制造”领域,属于新一代信息技术产业中的电子核心产业。
行业发展趋势
- 电信市场:5G和千兆光纤网络建设加快,10G PON市场广泛部署,50G PON技术具备5倍带宽提升和100倍时延降低的优势。
- 数据中心市场:随着AI发展,对高速光模块需求增加,400G、800G及更高速率产品逐步应用,硅光技术成为解决方案之一。
- 光芯片技术门槛:技术开发难度大,需多学科融合,涉及高速射频电路、微波导光学、半导体量子力学、材料学等。
风险提示
- 公司已详细披露经营风险及应对措施,详见“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分。
- 报告期内无重大风险事项,如非经营性资金占用、违规担保、公司治理问题等。
其他重要信息
- 本报告未涉及公司治理特殊安排。
- 无国家科学技术奖项及专精特新“小巨人”或制造业“单项冠军”认定。
- 公司财务报告未经审计。
- 全体董事出席董事会会议,确保报告真实性、准确性、完整性。
总结
源杰科技在2024年上半年实现了营业收入的显著增长,但净利润有所下降,主要由于政府补助减少。公司通过IDM模式实现光芯片的自主可控,具备从设计到封装测试的全流程生产能力。公司核心技术覆盖多个领域,包括高速调制、电吸收调制器集成、异质材料对接、小发散角、抗反射、大功率、高可靠性等,均为国内领先、国际先进水平。研发投入持续增加,支持公司在数据中心、5G、车载激光雷达等领域的技术突破与产品开发。公司正逐步拓展至数据中心市场,并在高功率、高可靠性、低功耗、小型化等方向进行技术优化与创新,为未来业务增长奠定坚实基础。
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