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广发电子 | AI PCB系列研究：mSAP迎来HDI时刻

核心内容

mSAP（改进型半加成法）作为PCB制造工艺之一，正在从手机SLP（系统级封装）向光模块、存储模组及CoWoP（芯片封装在基板上）等高阶应用场景拓展，迎来HDI（高密度互连）发展的重要阶段。随着AI、数据中心及高速通信需求的提升，mSAP凭借其精细线路能力、良好的阻抗控制以及相对合理的成本，正逐步替代传统减成法，成为高精密PCB制造的主流工艺。

主要观点

1. mSAP工艺特性

• 核心原理：在超薄铜基底上电镀成型，避免了传统减成法的侧蚀问题。
• 线路精度：线宽/线距（L/S）可做到20μm~25μm，远优于传统减成法（>30μm）。
• 截面形状：近矩形，比传统减成法更接近理想形状。
• 应用场景：主要应用于智能手机AP、高阶HDI板、光模块、存储模组及CoWoP等高密度互连领域。
• 成本与成熟度：中高成本，属于高端主流工艺。

2. mSAP应用拓展

• 光模块：800G光模块已部分采用mSAP工艺，1.6T光模块将大幅拉动mSAP需求。
• 存储模组：DDR5内存条及英伟达Vera CPU配套模组均需采用mSAP工艺。
• CoWoP：英伟达推进该工艺用于Rubin Ultra，未来市场空间广阔。

3. 产业链发展与国产替代

• 上游材料：超薄可剥铜、ABF树脂等核心材料此前由海外企业垄断，但国内企业正加速技术突破与国产替代。
• 中游制造：国内主流PCB厂商（如鹏鼎控股、深南电路、胜宏科技、兴森科技、景旺电子等）正加快扩产，提升mSAP产能。
• 下游应用：终端客户包括三星、美光、SK海力士、谷歌、英伟达、Meta等，推动mSAP市场增长。

4. 投资建议

• 关注具备mSAP量产能力的PCB厂商，如鹏鼎控股、深南电路、胜宏科技、兴森科技、景旺电子、方正科技、生益电子、广合科技等。
• 关注上游核心材料与设备环节中率先实现国产替代的标的，如德福科技、三井金属、中材科技、Ajinomoto等。

关键信息

mSAP工艺流程

1. 基底基材：超薄铜箔（3μm~5μm） + 底胶层 + 预浸料
2. 激光穿孔：形成导通孔
3. 去除载体：超薄铜箔被剥离
4. 化学镀铜：在铜基底上沉积种子层
5. 电镀铜：形成精细线路
6. 闪蚀成型：去除多余铜层，形成最终电路图形

mSAP扩产动态

• 鹏鼎控股：2026年资本开支168亿元，淮安、泰国基地建设，SLP产品已实现量产出货，3.2T产品进入研发阶段。
• 深南电路：泰国工厂投资12.74亿元，具备高多层、HDI工艺能力。
• 胜宏科技：在泰国、越南、马来西亚、惠州等地布局高多层与HDI产能。
• 兴森科技：珠海工厂扩产1.5万平方米/月，北京工厂1.6T光模块板进入量产爬坡阶段。
• 景旺电子：泰国工厂完成主体结构封顶，珠海新建高阶HDI厂房60万平方米/年，投资25.9亿元。
• 方正科技：珠海工厂预计2026年7月启动设备进场，11月试生产。
• 生益电子：东莞、吉安、泰国等地投资建设AI计算HDI生产基地，总投资约39亿元。
• 广合科技：广州、泰国、黄石基地技改与新建项目，产能释放主要在2027年。

风险提示

1. mSAP工艺升级不及预期：若新技术或传统工艺快速迭代，可能影响mSAP的替代进程。
2. 光模块需求不及预期：云资本开支和AI算力建设节奏存在不确定性，可能导致光模块出货量增长不及预期。
3. 先进封装商业化不及预期：CoWoP和Chiplet等技术对mSAP的精度、散热和可靠性要求高，若技术适配和良率爬坡缓慢，将影响其商业化落地。

报告信息

• 报告名称：《AI PCB系列研究：mSAP迎来HDI时刻》
• 发布日期：2026-05-19
• 作者：
  • 王亮 S0260519060001
  • 耿正 S0260520090002
  • 王钰乔 S0260524070006

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