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国泰海通 | 海外科技：26Q3合约价涨幅放缓，高盈利韧性支撑长景气周期——海外存储行业2026年7月跟踪

核心内容总结

本报告分析了2026年第三季度（26Q3）海外存储行业价格走势及市场动态，指出虽然合约价涨幅有所放缓，但行业仍处于高盈利周期中，长期景气趋势未改。

一、价格走势分析

• 合约价：26Q3预计DRAM合约价上涨13-18%，NAND合约价上涨10-15%。相比26Q2的58-63%和55-60%涨幅，Q3涨幅有所收窄。
• 现货价：
  • DDR3-DDR5大部分规格现货价仍维持上涨趋势。
  • DDR4 16Gb现货价出现下跌。
  • NAND方面，TLC现货价环比跌幅收窄至1.5%-1.9%，QLC现货价环比持平，MLC现货价环比上涨11.1%-11.4%。
  • MLC NAND现货价涨幅较大，主要由于原厂退出或减产导致供给紧张。

二、市场表现与出口数据

• 韩国：
  • 6月DRAM/NAND出口额同比增长385.2%/301.1%，分别达到218.5亿美元和24.9亿美元。
  • 5月韩国半导体产量同比增长1.46%，销量同比下降3.56%，库存同比下降7.28%。
  • 5月数据反映产品价值量提升，导致产销量同比增幅收窄。
• 中国台湾：
  • 主要存储原厂、主控芯片厂商和品牌/模组厂商6月营收分别同比增长325.6%、296.0%和312.0%。
  • 南亚科在Q2法说会中表示，产业结构性转变导致需求缺口扩大，预计存储供给短缺将持续，目前长约比重达50%。

三、行业趋势与投资建议

• 价格趋势：26Q3合约价涨幅放缓不代表周期见顶，而是市场定价重心从单季度价格弹性转向长期盈利持续性。
• 投资逻辑：
  • 存储行业已从AI算力投资的受益方转变为制约AI基建的关键瓶颈。
  • AI需求驱动的结构性短缺贯穿全产业链，供需缺口仍在加深。
  • 长期协议有助于价格趋势的可预测性，增强盈利和现金流的可见性。
  • 价格温和上行趋势有望延续至2027年。
• 产能端：
  • 原厂新增资本开支主要用于新建厂房和洁净室建设。
  • 扩产计划呈梯度推进，实际新增产能在26-27年将较为有限。
  • 产能调控灵活，传统消费终端对供需格局的边际影响下降。

四、行业关注重点转变

• 投资者应从关注单季度价格波动和利润弹性，转向关注行业长期盈利能力和现金流稳定性。
• 随着供需失衡持续，存储行业有望实现估值中枢上行。

关键信息点

• 存储行业处于高盈利周期，价格温和上涨趋势持续。
• 26Q3合约价涨幅放缓，但不意味着周期结束。
• 韩国和中国台湾存储厂商表现强劲，出口和营收均实现高增长。
• MLC NAND现货价涨幅显著，主要受供给收缩影响。
• AI需求成为存储行业结构性短缺的核心驱动力。
• 产能扩张受限，供需缺口持续加深，推动行业长期景气。

风险提示

• 技术发展不及预期
• AI投资过热
• 宏观经济波动
• 地缘政治风险
• 供应链风险