化合物半导体系列报告之三_碳化硅_国内弯道超车趋势已现_22页_2mb

碳化硅：国内弯道超车趋势已现

投资要点

• 技术优势：碳化硅具备高击穿电场强度、高热导率、高饱和电子漂移速率，适合高压、高频、高功率领域，器件能小型化轻量化。
• 渗透率提升：2024年全球SiC材料渗透率达15%，预计未来几年将继续增长。
• 市场竞争格局收敛：海外大厂如Wolfspeed、瑞萨电子等业务收缩，加速国内SiC行业发展。

核心内容分析

1. 海外大厂收缩，竞争格局收敛

• 主要事件：
  • Wolfspeed关闭工厂并启动破产保护。
  • 瑞萨电子终止新工厂计划。
  • 罗姆、意法半导体等推迟SiC产能建设。
• 影响：国内外SiC市场份额向国内厂商转移，竞争格局趋于收敛。

2. 国内厂商在多环节实现突破

• 衬底与外延环节：国产厂商在6英寸衬底和外延片领域取得进展，部分企业已具备量产能力。
• 器件环节：比亚迪半导体、芯联集成、基本半导体等企业已实现碳化硅模块和芯片的自主供应。
• 新应用领域：
  • AR眼镜：碳化硅衬底在AR镜片中需求增加，未来市场潜力巨大。
  • 新能源汽车：SiC模块在新能源车上渗透率快速提升，器件国产化进程加速。

3. 重点标的

• 衬底与外延：天科合达（未上市）、瀚天天成、天域半导体。
• 器件制造：芯联集成、基本半导体、斯达半导、华润微、士兰微、时代电气、扬杰科技。
• 全产业链布局：三安光电具备SiC全产业链能力。

4. 风险提示

• 渗透率提升不及预期：价格较高可能延缓下游应用导入。
• 国产厂商技术瓶颈：产能和良率若不及预期，可能影响国产化进程。