深度报告-20260813-国金证券-金刚石散热行业研究_开启AI芯片散热新纪元_33页_5mb
报告摘要
金刚石散热技术分析总结
核心内容
金刚石散热技术作为一种高热导率、低热膨胀系数和优异电绝缘性的新型散热材料,正在成为解决AI芯片和高功率半导体器件散热难题的“终极材料”。随着AI芯片功耗的指数级增长,传统散热方案已难以满足需求,金刚石材料凭借其独特的物理性能,展现出成为下一代散热材料的潜力。
主要观点
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金刚石的优异性能
金刚石是自然界中热导率最高的材料,单晶室温热导率可达2000~2200 W/(m·K),是铜的5~6倍、铝的9倍以上。同时,其低热膨胀系数(约1.0~1.2×10⁻⁶/K)与主流半导体材料高度匹配,电绝缘性优异,介电常数低,具备成为AI芯片散热材料的综合优势。 -
金刚石铜复合材料的产业化优势
金刚石铜复合材料是当前最接近大规模量产的金刚石散热方案。其热导率可达600~1000 W/(m·K),远高于传统铜材料,同时具备较低的热膨胀系数(5~7×10⁻⁶/K),与GaN、SiC等材料匹配良好。通过调控金刚石体积分数,可实现性能与成本的平衡,适用于高功率芯片、雷达、激光器等场景。 -
单晶与多晶金刚石的差异化应用
- 单晶金刚石:性能最优,适用于高端、极致性能需求,但成本高、大尺寸制备难度大。
- 多晶金刚石:具备成本优势,通过CVD工艺可灵活控制晶粒尺寸,热导率在1000~1800 W/(m·K)之间,具备较强规模化潜力,是当前产业化推进的重点。
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金刚石与半导体器件的连接方式
金刚石可通过独立热沉、键合、外延生长三种方式与半导体器件结合。其中,键合和外延技术在高端应用中更为常见,例如用于GaN器件的金刚石衬底键合和外延生长,显著提升散热性能。 -
产业化进展加速
2026年,Akash Systems交付全球首批搭载金刚石散热技术的英伟达H200 GPU服务器,随后推出AMD Instinct MI350X GPU服务器。国内企业如黄河旋风、沃尔德、力量钻石等也加快布局,提升产能,推动金刚石散热材料的商业化进程。 -
未来应用场景广阔
随着AI芯片向2.5D/3D堆叠演进,局部热流密度可能达到1000~2500 W/cm²,金刚石材料因其高导热性和热膨胀匹配性,有望成为下一代芯片散热技术的核心材料。
关键信息
- 热导率:单晶金刚石热导率可达2000~2200 W/(m·K),是铜的5~6倍。
- 热膨胀系数:金刚石CTE约为1.0~1.2×10⁻⁶/K,显著低于铜(17.6×10⁻⁶/K)。
- 电绝缘性:金刚石电阻率高达10¹²~10¹⁶ Ω·cm,适合高频、高功率场景。
- 主要制备工艺:包括真空热压烧结、高温高压烧结、放电等离子烧结、熔体浸渗法等,其中熔渗法热导率可达720~722 W/(m·K)。
- 连接方式:包括直接键合、外延生长、表面活化等,其中亲水键合技术已应用于GaN器件。
- 应用案例:Akash Systems的Diamond Cooling技术使NVIDIA GPU热点温度降低55~60℃,性能提升15%;Diamond Foundry制造出4英寸单晶金刚石晶圆,实现散热性能提升。
- 国内进展:黄河旋风建成国内首条8英寸金刚石热沉片生产线,力量钻石建设MPCVD设备产线,惠丰钻石启动CVD金刚石散热项目,推动国内金刚石散热材料产能提升。
投资建议
金刚石散热材料具备成为AI芯片散热终极解决方案的潜力,未来成长空间巨大。建议关注积极布局金刚石散热技术的企业,如Akash Systems、Element Six、Diamond Foundry、黄河旋风、沃尔德、力量钻石等。
风险提示
- 大规模商用进展不及预期:目前金刚石散热仍处于测试验证阶段,商业化进程可能受制于技术瓶颈和成本问题。
- 下游需求不及预期:AI芯片和GaN器件的市场需求可能受技术发展、成本控制和行业周期影响。
产业化进展
- 应用端验证:Akash Systems已实现金刚石散热在NVIDIA和AMD GPU服务器上的应用。
- 供应端扩产:黄河旋风、沃尔德、力量钻石等企业加速产能扩张,推动金刚石散热材料的规模化生产。
- 技术突破:住友电工、SP3 Diamond等在GaN on Diamond异质外延和SOD技术上取得进展,提升散热效率和材料兼容性。
图表与数据参考
- 金刚石热导率远超其他材料,如铜、铝、SiC等。
- 金刚石铜复合材料热导率可达600~1000 W/(m·K),热膨胀系数可调至5~7×10⁻⁶/K。
- 2026年Akash Systems交付首批金刚石冷却GPU服务器,订单达3亿美元。
- 国内企业如黄河旋风、沃尔德、力量钻石等加速布局,提升金刚石散热材料产能和研发能力。
结论
金刚石散热技术具备成为AI芯片散热解决方案的潜力,其高热导率、低热膨胀系数和优异电绝缘性使其在高功率、高密度芯片散热中具有不可替代的优势。随着应用端的验证和供应端的产能扩张,该技术有望在未来几年实现规模化应用,成为半导体散热领域的重要创新方向。
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