20231206-中航证券-电子行业周报_从智界S7看碳化硅产业趋势_17页_4mb

DriveONE 800V系统使用IGBT和SiC半导体技术。关键参数包括25%占位率、150kW至215kW功率输出、22000rpm旋转速度和3秒加速时间。效率比较显示，IGBT平均损耗较高（如4.4%），而SiC技术（例如Wolfspeed）提供更高效率，SiC MOSFET损耗更低（如3.1W vs IGBT 4.4W），并将效率提升至44%，重量略有增加（150kg to 200kg）。Wolfspeed在2023年至2024年期间主导SiC应用，数据支撑了SiC在电动车电源转换中的优势。