20240616-甬兴证券-电子行业存储芯片周度跟踪_三星电子或提高1b_DRAM良率_NAND_DRAM市场价小幅波动_10页_707kb

存储芯片周度分析总结

核心观点

• NAND市场：NAND颗粒价格上周小幅波动，平均涨跌幅0.20%。西部数据预览了BICS8 2Tb QLC NAND闪存芯片，采用218层堆叠技术，成为业界最高密度产品，预计将降低企业级SSD成本。
• DRAM市场：DRAM价格环比下跌0.89%，三星电子计划通过提高1b DRAM良率和产能，扩大生产规模至20万张/月，以支持DDR5等产品。
• HBM市场：SK海力士宣称其HBM产品比竞争对手更坚固，使用大规模回流成型技术，划痕少60%，提升可靠性。
• 市场动态：存储现货渠道需求寡淡，竞价出货以降库存，渠道内存条价格下调，SSD价格基本稳定。上游资源高位，终端厂商按需采购。
• 投资建议：看好HBM和存储芯片产业链复苏，推荐关注HBM相关公司如赛腾股份，存储芯片推荐东芯股份、恒烁股份等；风险包括中美贸易摩擦、需求不及预期和国产替代缓慢。

市场和动态要点

• 消费需求疲软，Flash和DDR资源价格下跌，但AI技术推动高性能存储需求。
• 江波龙等公司暂未涉及高阶GDDR产品，但持续关注市场动态。

风险提示

• 中美贸易摩擦可能影响经营；下游需求不振或库存压力加大业绩波动；国产替代进展慢将承压企业成长。