20200727-川财证券-电子行业点评_存储价格7月仍下跌_国产内存布局加快_2页_905kb

报告摘要

存储器市场分析总结

核心内容

存储器市场受全球疫情影响，供需结构发生显著变化，价格持续下跌。自2020年3月以来，DRAM和NAND Flash市场均出现价格下行趋势，尤其是DDR3内存价格接近历史低位。整体市场面临库存高企、需求疲软等问题，传统旺季或将后移，市场仍处于调整阶段。

主要观点

存储器价格持续下滑：2020年3月起，存储器价格持续下跌，DRAM DDR3 4GB价格至7月24日为1.4660美元，环比下降4.25%，同比下降18.10%，接近历史低位。
NAND Flash市场疲软：尽管Q2有笔电和数据中心需求支撑，但当前库存水平高企，市场买气疲弱。
DDR4库存满载：DDR4产品现货库存处于满载状态，但客户购买意愿下降，市场整体趋于谨慎。
国内厂商加快布局：
- 长江存储：已研制成功128层QLC3D NAND，并通过多家主控厂商验证，预计2020年底量产；二期工程启动，计划产能20万片/月，达产后总产能为30万片/月。
- 合肥长鑫：已建成并投产12英寸晶圆厂，发布首颗国产1Xnm级DDR4内存芯片，与Rambus Inc.达成专利许可协议，未来2-3年将推进LPDDR5 DRAM产品开发。
- 兆易创新：完成DRAM芯片自主研发及产业化项目融资，拟研发1Xnm级工艺DRAM技术，涵盖DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列芯片。
市场格局：日韩厂商在存储器市场占据主导地位，三星、SK海力士合计占有DRAM市场75%的份额，三星、SK海力士、东芝合计占有NAND Flash市场89%的份额。
需求恢复不及预期：当前存储需求上涨预期不明显，现货卖压尚未消化，Q3仍面临库存调节压力，传统旺季或继续后移。
风险提示：海外疫情发展存在不确定性，下游需求恢复不及预期可能对市场造成进一步影响。

关键信息

价格趋势：DRAM DDR3价格持续下跌，接近历史低位；NAND Flash库存高企，市场买气疲弱。
国内厂商进展：
- 长江存储：128层QLC3D NAND研发完成，二期工程启动，国产化率14%。
- 合肥长鑫：12英寸晶圆厂投产，1Xnm级DDR4芯片发布，与Rambus Inc.签署专利协议。
- 兆易创新：完成43.24亿元融资，计划研发1Xnm级DRAM技术。
市场预期：传统旺季或将后移，Q3库存压力仍存，需求回升仍需时间。
风险因素：疫情发展不确定性、下游需求恢复不及预期。

行业公司评级说明

证券投资评级：以6个月内证券的绝对收益为分类标准，30%以上为买入评级，15%-30%为增持评级，-15%-15%为中性评级，-15%以下为减持评级。
行业投资评级：以6个月内行业相对市场基准指数的收益为分类标准，30%以上为买入评级，15%-30%为增持评级，-15%-15%为中性评级，-15%以下为减持评级。