深度报告-20250901-国盛证券-电子_存储产业升级_重视HBM_3D_DRAM_定制化存储机遇_16页_1mb

存储产业升级分析总结

1. 报告主题

报告聚焦存储技术升级趋势，重点关注高带宽内存（HBM）、3D DRAM和定制化存储的应用与发展。

2. 主要内容概述

2.1 HBM技术的发展与应用

• 技术优势：HBM解决传统DRAM的带宽瓶颈、高能耗及容量限制，特别适用于AI芯片，可显著提升计算性能。
• 市场增长：Yole预测，全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，年复合增长率达33%。
• 厂商进展：三星、SK海力士、美光等已开始HBM4的研发与量产，预计2025-2026年实现商用。HBM技术向更高带宽、更低能耗方向演进，W2W键合技术将在未来成为主流。

2.2 3D DRAM技术趋势

• 架构创新：3D DRAM旨在突破平面DRAM的极限，通过垂直堆叠存储单元，提升密度与性能。核心技术包括4F²结构、高深宽比蚀刻及混合键合。
• 市场机遇：中微公司、北方华创、拓荆科技等半导体设备厂商在HBM及3D DRAM技术突破中有望受益。中资厂商如长鑫、兆易创新在3D DRAM领域具备实现弯道超车的可能性，尤其在低EUV依赖度的背景下。

2.3 定制化存储与端侧AI

• 技术特点：定制化存储（如华邦的CUBE）具备高带宽、低功耗、多重可定制等特性，适用于边缘AI设备与高功耗敏感场景。
• 市场应用：华邦、南亚科、兆易创新等厂商已积极布局定制化存储，目标应用于5G边缘设备、AI PC、AI机器人等领域。兆易创新控股子公司青耘科技能提供端侧存储整体解决方案。

3. 投资建议与风险提示

3.1 重点标的

• 设备与材料：中微公司、北方华创、兆易创新等。
• 封装与材料：长电科技等行业关键技术厂商。
• 风险因素：技术研发不及预期、地缘政治限制、宏观经济下行等因素可能影响行业发展。

4. 结论

报告认为，存储技术升级将推动HBM、3D DRAM、定制化存储等方向持续发展，中国厂商在部分领域（如垂直EUV依赖）具备实现赶超的机会，建议关注相关产业链及核心标的。