2023中国功率半导体和第三代半导体发展现状和前景分析-云岫资本-2023-33页_3mb

2023中国功率半导体与第三代半导体行业发展现状及前景分析总结

市场规模与国产化率

• 全球功率半导体市场规模：2022年达481亿美元，预计到2024年增长至522亿美元，年复合增长率约5.46%。
• 中国市场规模：2022年约为191亿美元，预计2024年将达到206亿美元，中国是全球最大的功率半导体消费国，贡献约40%的全球市场。

技术与产品

• 主要产品：包括MOSFET和IGBT，这些都是全球市场的主流应用产品。
• 发展趋势：
  • MOSFET：技术迭代方向为更高开关频率、更高功率密度及更低功耗。
  • IGBT：已发展到第七代，向更高功率密度不断迭代，未来技术将围绕栅极及纵向结构调整。

政策与扶持

• 中国政府发布多项政策鼓励功率半导体与第三代半导体发展，例如2016年7月的《“十三五”国家科技创新规划》，明确发展第三代半导体芯片，并出台包括税收减免在内的支持措施。
• 各级政府密集推出支持第三代半导体相关产业政策，支持产业链上下游企业发展。

产业链

• 衬底环节：SiC衬底占下游器件总成本的47%，供不应求严峻，全球面临“缺衬底”难题，国产厂商正在发力。
• 产业链布局：部分国内厂商采用IDM模式，如三安光电全产业链布局，闻泰科技、长飞先进等向上布局外延生产，材料龙头向下游扩展。

应用领域

• 新能源汽车：800V架构推广，推动SiC在主逆变器中应用，预计2030年新能源汽车SiC市场规模可达353亿元。
• 充电桩：高效补能需求刺激SiC在直流充电桩市场的运用。
• 光伏与储能：1500V时代到来，SiC助力提升功率密度和系统效率，应用市场将持续扩大。
• 数据中心：氮化镓GaN在DC-DC转换器、AC-DC转换器等场景下提升效率。
• 第三代半导体：碳化硅和氮化镓在高频率、高压大功率等场景下显著优势，适用于数据中心和大功率载具。

国产替代

• 挑战：国内功率半导体在高可靠性的车规级和风光储产品中国产化率较低，设计和工艺有待提升。
• 机遇：全球硅基芯片缺货、800V电压升级、特斯拉样板效应等推动国产SiC替代。

云岫资本观点与布局

• 云岫资本专注于服务科技领先企业，成功推动多家企业融资及IPO。
• 样本企业如恒烁半导体、佰维存储、杰华特微电子已登陆科创板，未来三年预有近30家企业IPO申报。
• 未来将继续支持中国硬科技企业成长。