20211230-天风证券-天风电子问答系列汽车电子_第三代半导体核心问答_智能化浪潮下_优质赛道掘金_53页_5mb
报告摘要
电子行业:汽车电子与第三代半导体投资机会分析总结
核心内容概览
本报告聚焦于2022年汽车电子与第三代半导体领域的投资机会,分析了智能化和电动化趋势下相关板块的重估潜力及增长前景,重点关注了SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)产业链的未来发展趋势。
汽车电子核心投资机会
主要板块及企业推荐
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连接器
- 关注企业:博威合金、电连技术、瑞可达、中航光电、徕木股份、意华股份、沪光股份等
- 重点方向:
- 高压连接器:电动车渗透率提升和高压升级,推动行业量价齐升
- 高速连接器:智能化和域集中式趋势驱动长期成长
- 上游材料:高端铜合金和塑胶材料是核心,博威合金实现进口替代
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PCB(印刷电路板)
- 关注企业:景旺电子、世运电路、鹏鼎控股等
- 增长动力:汽车电子化加深带动PCB市场规模显著提升,新能源汽车PCB用量为传统汽车的5-8倍
- 趋势:FPC(柔性印刷电路板)逐步取代线束,未来单车用量将超过100片,2022年全球市场规模预计达70亿元
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IGBT & SiC(绝缘栅双极型晶体管 & 碳化硅)
- 关注企业:斯达半导、闻泰科技、时代电气、东微半导等
- 应用领域:新能源汽车、光伏逆变器等
- 趋势:SiC器件成本持续下降,预计2022年迎来增长拐点,2026年将全面铺开
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激光雷达
- 关注企业:炬光科技、蓝特光学、舜宇光学科技、湘油泵等
- 市场空间:预计2026年达到57亿美元,年复合增长率高达21%
- 应用场景:ADAS、自动驾驶等,L5级别车辆将配备32个传感器,激光雷达需求显著增长
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EMS(发动机管理系统)
- 关注企业:菱电电控
- 趋势:国六标准推动EMS需求增长,新能源汽车销量提升带动EMS市场扩张
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元器件
- 关注企业:法拉电子、顺络电子等
- 趋势:新能源汽车高景气带动元器件需求,进口替代加速
第三代半导体(SiC & GaN)核心问答
1. 价值拆解
- SiC衬底材料成本占据整体成本近五成,是产业链中价值量最高的环节
- 以SiC 6寸晶圆为例,总成本约为6400元,其中衬底+外延价值量约3840元
- SiC器件制造成本中,衬底占比约55%,外延占比约5%
2. 降价趋势
- SiC电力电子器件价格逐年下降,与同类型Si器件价差缩小
- SiC器件价格较2017年下降超50%,主流产品与Si产品的价差基本达到4倍以内
- GaN器件价格同样呈现下降趋势,2020年与Si器件价差持续缩小
3. 器件结构占比
- 2019年,SiC二极管占比显著高于SiC MOSFET及模组
- 随着SiC MOSFET技术成熟,预计未来会超过二极管占比
- 模组增速最快,未来有望占SiC市场约50%
4. 发展进程与成本优势
- 衬底成本每年以10%-20%速度下降,主要依赖产能扩张、智能制造、长晶技术优化及新技术开发
- 预计2022年迎来SiC增长拐点,市场空间约7-10亿美元
- 2024-2026年为加速成长期,市场空间约21亿美元
5. 能源节约测算
- 每辆车使用SiC可节省每年5.5桶油、146.15美元电力成本、690kg CO₂排放
- SiC助力汽车降低5倍能力损耗,提高电机逆变器效率4%,整车续航里程提升7%
6. 车厂布局
- 整车厂引入SiC在OBC和DC-DC为7家,电驱为4家,布局电驱为10家
- 全球2021年全年预计超100万台,2022年预计翻倍
- 国内新能源汽车企业首先在OBC和DC-DC应用SiC,逐步渗透到电机控制器
7. 供给测算
- 国内产能:2020年SiC导电型衬底18万片(6英寸),外延22万片,器件26万片
- 全球产能:预计2022年折合为8英寸产能77.3万片,2024年为111.9万片
- 未来增长:国内企业加速布局,2021年第三代半导体厂商数量达70家,其中SiC衬底16家、外延11家、器件28家;GaN衬底2家、外延12家、器件12家
8. 需求测算
- 新能源汽车:SiC 6寸硅片用量预计2025年将超过120万片
- 光伏领域:SiC 6寸硅片用量预计2025年将超过130万片
- GaN电力电子:预计2025年近70万片
- GaN射频:预计2022年达顶峰超4万片
9. 技术对比
- 国内与海外SiC&GaN产业链存在一代代差
- SiC:国内以4英寸为主,逐步向6英寸过渡;国际已实现6英寸商用化,8英寸样品已推出
- GaN:国内商业化衬底以2英寸为主,4英寸小批量出货,预计2025年完成6英寸批量生产
- 国际领先:美、日、欧已量产2英寸GaN单晶,日本成功研制4英寸衬底并突破6英寸关键技术
10. 海外龙头:Wolfspeed
- 产能预测:2022年折合8英寸产能47.9万片/年,2024年达69.4万片/年
- 晶粒产出:2022年预计40476颗,2024年58643颗(假设良率为100%)
- 专利数量:截至2021年11月,第三代半导体相关专利2939件,其中材料相关360件,射频相关1015件,功率相关984件
- 财务规划:预计2021财年营收5.26亿美元,2024财年15亿美元,2026财年21亿美元,CAGR达30%
- 毛利率:预计2022-2023年毛利率30%-40%,2024-2025年提高至50%,2026年后稳定在50%-54%
风险提示
- 产业政策变化风险
- 国际贸易争端加剧风险
- 下游行业发展不及预期导致的需求风险
投资评级
- 行业评级:强于大市(维持评级)
- 上次评级:强于大市
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图表目录摘要
- 图1:不同车型汽车电子化程度
- 图2:汽车用FPC示意图
- 图3:SiC在新能源汽车领域2027年带动60亿美元市场
- 图4:不同车级IGBT价值量(人民币)
- 图5:激光雷达市场
- 图6:L1-L5汽车需要用到的传感器数量
- 图7:Si前道工序平均成本结构(%)
- 图8:SiC MOSFET前道工序平均成本结构(%)
- 图9:2021年12月SiC二极管平均单价
- 图10:2021年12月SiC和GaN晶体管平均单价
- 图11:SiC各类器件占比情况
- 图12:各SiC器件优势及不足
- 图13:功率器件主要应用场合电压及电流要求
- 图14:SiC二极管分类别器件结构
- 图15:SiC MOSFET器件新结构
- 图16:新能源汽车SiC使用情况
- 图17:V2X定义
- 图18:SiC在光伏市场的发展情况
- 图19:2017-2020年650V SiC SBD价格趋势
- 图20:2017-2020年1200V SiC SBD价格趋势
- 图21:SiC生产制造流程中的挑战使价格高昂
- 图22:SiC生产制造设备的挑战
- 图23:高温单晶生长炉
- 图24:未来SiC价格降低将得益于长晶速度提升、减少割缝损失、切割成本下降、抛光成本下降
- 图25:SiC 6寸晶圆成本发展趋势预测
- 图26:预计碳化硅将受益于新能源汽车快速增长
- 图27:SiC在汽车电驱、OBC、DCDC的发展预判
- 图28:部分整车厂及Tier1引入SiC情况
- 图29:整车厂及Tier1引入SiC具体应用情况
- 图30:Tesla SiC合作情况
- 图31:主要汽车企业的SiC使用的速度情况
- 图32:Wolfspeed产能预测
- 图33:SiC在下游应用市场情况
- 图34:SiC在下游应用增速情况
- 图35:SiC在新能源汽车中晶圆面积用量情况
- 图36:SiC器件在新能源汽车的优势
- 图37:我国新能源汽车销量测算
- 图38:国内新能源汽车SiC硅片需求量测算
- 图39:2022年全球光伏装机需求占比(%)
- 图40:全球、国内光伏逆变器新增装机量及国内增速(GW,%)
- 图41:2020-2025年国内光伏逆变器市场空间及增速(亿元,%)
- 图42:SiC 6寸晶圆成本发展趋势预测
- 图43:PD快充GaN电力电子器件市场规模(亿元)
- 图44:PD快充GaN-on-Si晶圆需求量(万片)
- 图45:5G宏基站GaN晶圆需求量(万片)
- 图46:国际SiC衬底技术指标进展
- 图47:国内SiC衬底技术指标进展
- 图48:国际上已经商业化的SiC SBD器件性能
- 图49:国际上已经商业化的SiC晶体管器件性能
- 图50:国际上已经商业化的GaN电力电子器件性能
- 图51:国际上商业化的GaN射频产品性能
- 图52:Wolfspeed功率器件的发展历程
- 图53:Wolfspeed产能预测(包括6+8寸的全部产能)
- 图54:Wolfspeed裸DIE工厂
- 图55:Wolfspeed 10亿美元投资分配
- 图56:Wolfspeed DIE产出量预测从6寸演进到8寸
- 图57:Wolfspeed 8英寸晶圆化学机械抛光(CMP)后的表面良率
- 图58:Wolfspeed专利数量统计
- 图59:Wolfspeed营收增速将超过第三代半导体市场增速
- 图60:Wolfspeed预计2025年后毛利率超过50%
表格目录摘要
- 表1:SiC及GaN终端器件价格变化趋势
- 表2:我国与海外SiC&GaN产业链各环节的代差
- 表3:2025年中国高速连接器市场规模预测
- 表4:SiC及GaN终端器件价格变化趋势
- 表5:整车厂引入SiC应用及供应情况
- 表6:OEM厂商SiC上车规划
- 表7:Tier1企业-SiC逆变器应用推进情况
- 表8:2020年国内晶圆制造SiC产线
- 表9:国内GaN晶圆制造产线
- 表10:2020年我国SiC产能统计
- 表11:2020年我国GaN产能统计
- 表12:国内第三代半导体截至2021年12月产能情况
- 表13:国内第三代半导体公司投资布局情况(已明确产能计划)
- 表14:国内第三代半导体公司投资布局情况(尚未明确产能计划)
- 表15:国际主要企业SiC布局情况
总结
本报告指出,随着智能化与电动化趋势的加速,汽车电子与第三代半导体将成为高增长赛道。SiC和GaN技术在新能源汽车、光伏、5G等领域展现出显著优势,价格持续下降,国产替代加速。建议重点关注连接器、PCB、IGBT&SiC、激光雷达、EMS及元器件等板块,关注斯达半导、闻泰科技、时代电气、东微半导、炬光科技、蓝特光学、舜宇光学科技、菱电电控、法拉电子、顺络电子等企业。同时,海外龙头Wolfspeed在SiC领域具备较强竞争力,其产能与技术指标持续提升,预计2026年毛利率将稳定在50%-54%。
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