深度报告-20210719-国盛证券-电子_半导体设备系列_光刻机_半导体制造皇冠上的明珠_16页_1mb
报告摘要
电子行业总结:半导体设备系列——光刻机分析
核心内容
光刻机是半导体制造中的关键设备,承担将掩膜板上的图形曝光至晶圆表面的任务,其技术复杂度高、单台价值量大,被称作“半导体制造皇冠上的明珠”。
主要观点
- 光刻机是芯片制造的核心设备,其性能直接影响芯片的制程能力。
- 光刻机技术经历了从接触式到接近式,再到步进式的发展历程,EUV(极紫外线)光刻机作为最新一代技术,显著提升了分辨率和制造效率。
- 光刻机市场具有周期性和高波动性,占全球半导体制造设备市场的21%左右。
- 全球光刻机市场由ASML主导,2020年市场份额达84%,Nikon和Canon分别占7%和5%。
- ASML在技术、研发和客户绑定方面具有显著优势,其高研发投入(2020年为22亿美元,占比16%)和高利润率(综合毛利率52%,净利率32%)进一步巩固其行业领导地位。
- 光刻机市场供不应求,2020年ASML在手订单超过50亿欧元,出货量约300~400台,其中EUV光刻机仅30~50台,且仅ASML具备供应能力。
关键信息
光刻机技术演进
| 应用年代 | 光源 | 波长(nm) | 设备类型 | 最小分辨率 | 可实现制程 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1980年代早期 | 汞灯光源 | 436 | 接触式/接近式 | 230nm | >5um |
| 1990年代初期 | 汞灯光源 | 365 | 接触式/接近式 | 220nm | 0.35~0.5um |
| 1990年代后期 | KrF准分子激光 | 248 | 扫描投影式 | 80nm | 0.15~0.25um |
| 2000年代初期 | ArF准分子激光 | 193 | 进步扫描投影式 | 65nm | 65nm~0.13um |
| 2000年代中期 | ArF准分子激光 | 193(等效134) | 浸没式进步扫描投影 | 38nm | 7~45nm |
| 2010年代末期 | EUV光源 | 13.5 | 步进扫描投影式 | 13nm | <7nm |
光刻胶分类
| 分类标准 | 具体类别 | 备注 |
|---|---|---|
| 应用领域 | IC光刻胶 | g线、i线、KrF、ArF等 |
| 应用领域 | PCB光刻胶 | 干膜、湿膜、阻焊油墨等 |
| 应用领域 | LCD光刻胶 | 彩色、黑色、衬垫料等 |
| 按曝光波长 | g线 | 436nm,适用0.5μm以上 |
| 按曝光波长 | i线 | 365nm,适用0.5~0.35μm |
| 按曝光波长 | KrF | 248nm,适用0.25~0.15μm |
| 按曝光波长 | ArF | 193nm,适用65~130nm |
| 按曝光波长 | EUV | 134nm,适用32nm以下 |
| 按相应紫外线的特征 | 正性胶 | 未曝光部分溶于显影液,高分辨率,抗蚀刻性强 |
| 按相应紫外线的特征 | 负性胶 | 曝光部分溶于显影液,抗酸碱性强,感光速度快 |
光刻机市场数据
- 2020年全球光刻机市场约135亿美元,占半导体设备市场的21%。
- 全球光刻机年出货量约300~400台,整体均价约0.3亿美元,其中EUV均价超过1亿美元。
- 2020年ASML营收140亿美元,其中75%来自设备销售,25%来自服务,研发投入占比16%。
- ASML在2020年销售34台EUV光刻机,2021年产能预计增长至45~50台。
- 全球EUV光刻机主要由TSMC、Samsung、Intel采购,其他厂商采购量较少。
国内光刻机发展
- 上海微电子装备(集团)股份有限公司自2002年成立以来,逐步布局前道光刻机设备,2018年其90nm光刻机项目通过验收。
- 公司产品包括SSX600系列步进扫描投影光刻机,适用于90nm、110nm、280nm制程,支持200mm和300mm硅片。
- 国内主要晶圆厂如长江存储、华虹无锡、华力Fab6等,其光刻机采购主要来自ASML,国产替代进展缓慢。
风险提示
- 国产替代进展不及预期。
- 全球贸易纷争影响半导体产业链稳定性。
- 下游需求存在不确定性,受全球经济环境影响较大。
投资建议
- 行业走势:增持(维持)
- 投资评级说明:基于报告发布日后6个月内公司股价或行业指数相对基准指数的涨幅进行评估。
作者信息
-
分析师 郑震湘
执业证书编号:S0680518120002
邮箱:zhengzhenxiang@gszq.com -
分析师 余凌星
执业证书编号:S0680520010001
邮箱:shelingxing@gszq.com -
分析师 陈永亮
执业证书编号:S0680520080002
邮箱:chenyongliang@gszq.com
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图表目录
- 图表1:ASML光刻机原理
- 图表2:EUV光刻机折射路线
- 图表3:光刻机类别
- 图表4:光刻机技术特点
- 图表5:光刻机类别
- 图表6:光刻机对应解析度需求
- 图表7:光刻胶分类
- 图表8:集成电路光刻和刻蚀工艺流程
- 图表9:全球半导体设备季度销售额
- 图表10:全球半导体设备分地域季度销售额
- 图表11:半导体设备市场增速周期性
- 图表12:刻蚀在晶圆设备市场比重提升
- 图表13:全球光刻机出货量及均价
- 图表14:全球EUV光刻机出货量
- 图表15:全球光刻机市场格局
- 图表16:长江存储中标光刻机情况
- 图表17:华虹无锡中标光刻机情况
- 图表18:华力Fab6中标光刻机情况
- 图表19:ASML季度营收数据
- 图表20:ASML光刻机销售数量
- 图表21:2020年ASML光刻机业务收入结构
- 图表22:ASML单季度Book-to-Bill Ratio
- 图表23:ASML发展历史中几个重要分水岭
- 图表24:上海微电子600系列光刻机
- 图表25:上海微电子600系列光刻机主要技术参数
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