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行业缺货或将延续至27年，关注未来存储技术创新重构

核心内容概览

随着AI技术的快速发展，存储行业正经历结构性变革，需求端、供给端、价格端和库存端均出现显著变化。2026-2027年，存储产能增长有限，行业缺货和价格上涨成为常态，同时eSSD技术演进和AI对存储性能、容量、效率的要求推动了存储产品的创新。

主要观点与关键信息

需求端

• AI需求爆发：AI服务器存储用量是通用服务器的4-5倍，2026年AI需求中SOCAMM、服务器NAND、服务器DRAM、HBM预计同比增长 $150%$、$63%$、$44%$、$35%$。
• DRAM应用占比提升：2026年DRAM在服务器中的应用占比将超过 $50%$。
• eSSD成为最大应用市场：AI推理推动KV cache向eSSD转移，预计2026年服务器占NAND应用的 $37%$，eSSD成为NAND最大应用市场。
• KV cache增长：单次提示推理上下文128k tokens会产生约61GB KV cache，若100k用户每次对话64k tokens，均进行15次对话，则会产生45PB KV cache，HBM与DRAM无法承接，需下放到eSSD。

供给端

• 结构性错配：存储产能扩张周期为18-24个月，2026年全球无主流AI存储产品可供应，预计短缺将持续至2027-2028年。
• 供给策略转变：从野蛮扩产转向纪律性增产，2023-2026年整体NANDbit出货量增长保持在 $10% -20%$ 的增速。

价格端

• 价格上涨：2025年四季度起存储价格迎来史诗级上涨，合约价、现货价、渠道模组整机全线上涨。
• 价格趋势：2026年三季度起价格涨幅趋势将放缓，具体产品线可能分化；2027年价格趋势预测难度较大。

库存端

• 库存紧张：消费级产能被持续挤压，DOI已跌至历史安全线以下，行业库存周转天数从2023年的10-12周 $\rightarrow$ 2024年8-10周 $\rightarrow$ 2025年5-6周 $\rightarrow$ 2026年的4周。

新品和创新技术

• 存储技术升级：从微创新 $\rightarrow$ 系统架构级重构，CXL、CIM、PNM等将在未来2-3年从概念走向规模化商用。
• 高性能eSSD产品：
  • 三星推出PM1763支持CXL，性能提升2倍，功耗效率提升1.6倍；第六代E3.S1T256TB产品。
  • 长江存储推出PE501，最高容量达122TB。
  • 铠侠推出LC9系列，容量可达122TB，E3.L规格拥有245.76TB容量。
  • Solidigm推出D5-P5336容量达122TB，D7-PS1010 E1.S SSD支持冷板冷却。
  • 江波龙推出SPU-WM8500，单盘最大容量达128TB。
  • 大普微eSSD已适配英伟达Rubin全系平台，PCIe5.0 R6 QLC SSD容量达245TB。

投资建议

• 关注原厂与模组公司：包括闪迪、美光、SK海力士、西部数据、铠侠、三星、希捷等海外存储公司；长鑫科技（IPO中）、长江存储等国内原厂；江波龙、佰维存储、德明利、朗科科技等模组公司；兆易创新、普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份等利基存储公司。
• 关注技术趋势与市场机会：如CXL、CIM、PNM、eSSD、QLC SSD、高速存储等技术的演进。

风险提示

• 宏观经济与政策风险：可能影响存储行业整体需求。
• DRAM和NAND景气度下滑风险：若市场需求放缓，可能影响价格与产能。
• 存储价格下滑风险：若供需关系改善，价格可能回落。
• AI资本开支不及预期的风险：影响存储需求增长。
• 行业竞争加剧的风险：技术与市场集中度提升，竞争更加激烈。

未来技术趋势

• CXL、CIM、PNM等技术：将在未来2-3年实现规模化商用，推动存储架构升级。
• 高性能与大容量eSSD：如128TB、245TB等，将成为AI时代的关键存储产品。
• QLC SSD发展：因HDD短缺，QLC SSD将逐渐取代HDD，满足AI推理和训练需求。
• 散热与冷却方案：如冷板冷却、液冷SSD等，提升性能与可靠性。
• 存储成为AI加速器：通过高性能、高密度、低成本技术融合，提升AI效率。

行业与市场分析

• 半导体市场规模增长：2026年全球半导体销售额预计突破1万亿美元，存储行业迎来黄金时代。
• 企业级SSD需求增长：预计2024-2029年企业级SSD需求年复合增长率 $34.9%$，AI服务器需求增长更快。
• 存储技术升级：从TLC到QLC，从PCIe4.0到PCIe6.0，技术迭代加速。
• AI存储生态构建：存储成为AI计算的战略资源，推动存储产品向高性能、高密度、低成本方向发展。

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