东微半导体_算力服务器供电系统白皮书_17页_17mb

东微半导体算力服务器供电系统白皮书总结

核心内容

东微半导体发布《算力服务器供电系统白皮书》，全面解析人工智能数据中心（AIDC）对供电系统的需求与挑战，并展示其在关键供电环节的解决方案与技术布局。

主要观点

• 算力需求激增：随着AI大模型训练的推进，单机架功率需求从3-5kW提升至100kW以上，部分极限配置甚至可达MW级别。
• 供电系统挑战：包括高功率密度、高效率、高可靠性、热管理、动态负载响应及系统扩展性等。
• 技术演进趋势：从48V总线架构向800V高压直流（HVDC）架构演进，固态变压器（SST）成为主流解决方案。
• 第三代半导体应用：SiC MOSFET、GaN HEMT等第三代半导体器件在提高效率、功率密度和可靠性方面发挥关键作用。
• 数字电源管理：东微半导体整合慧能泰的数字控制IC，构建“控制-驱动-执行”全链路解决方案，提升系统智能化与灵活性。
• 国产替代机遇：中国“东数西算”工程推动高效供电技术发展，东微半导体在功率半导体领域实现国产替代，提升供应链安全与效率。

关键信息

地址与联系方式

• 苏州研发总部
  地址：江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号，苏州纳米城东南区65栋
  邮箱：enquiry@orientalsemi.com
  电话：+86 512 6253 4962

• 深圳业务及应用服务中心
  地址：深圳市南山区西丽街道留仙大道与创科路交汇处，创智云城A7栋19楼1905室
  邮箱：robin.lu@orientalsemi.com
  电话：+86 0755-83229660

缩略语

• PUE：电源使用效率
• TCO：生命周期总拥有成本
• IBC：中间总线转换器
• PoL：负载点
• MOSFET：金属-氧化物-半导体场效应晶体管
• GaN HEMT：氮化镓高电子迁移率晶体管
• SiC：碳化硅
• SST：固态变压器
• VRM：电压调节模块
• PHM：预测和健康管理
• MTBF：平均故障间隔时间

供电系统架构

• AC-DC转换：通过一次电源模块（PSU）将交流电转换为48V直流总线，未来将向800V架构演进。
• IBC（中间总线转换器）：将高压直流转换为12V或6V，采用高频谐振拓扑如LLC、HSC，提高功率密度和效率。
• VRM（电压调节模块）：将12V转换为xPU所需低电压（0.6-1.8V），支持高动态负载响应。
• eFuse与固态断路器（SSCB）：用于热插拔保护和故障隔离，提升系统安全性与可靠性。

东微半导体技术布局

• 功率器件：涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET等，适用于不同电压等级和应用场景。
• 数字控制器：包括OSU1000A、OSU1800等，支持多种拓扑结构，提升系统智能化与控制精度。
• 先进封装技术：如Source-Down、双面散热、模块化集成等，优化散热性能，提升系统可靠性与功率密度。
• 战略价值：通过技术领先性、市场竞争力、成本优势与国产替代机遇，东微半导体在算力服务器供电系统中占据重要地位。

未来产品路线图

技术演进与产业化路径

• 加强产业链协同：与晶湛半导体等合作，推动第三代半导体材料与器件的国产化。
• 加大研发投入：提升产品性能，降低成本，增强市场竞争力。
• 推动规模化应用：通过客户验证与技术迭代，实现产品在算力服务器中的广泛应用。

结论

东微半导体致力于为算力服务器提供高效、高可靠、智能化的供电解决方案，覆盖从电网接入到xPU芯片的全链路。通过第三代半导体技术与数字电源管理的融合，公司正推动算力服务器供电系统的升级与创新，助力人工智能技术的可持续发展。