20260903-东微半导-算力服务器供电系统白皮书_17页_8mb
报告摘要
东微半导体算力服务器供电系统白皮书总结
核心内容概述
东微半导体专注于算力服务器供电系统的核心技术,致力于提供高效、高可靠、智能化的完整电源管理系统级解决方案。随着人工智能算力需求的指数级增长,算力服务器的供电系统面临前所未有的挑战,包括高功率需求、高能效要求、高功率密度、高可靠性与复杂热管理等。东微通过第三代半导体技术(SiC、GaN)和数字电源控制技术,为算力服务器提供覆盖从电网接入到xPU供电的端到端解决方案。
主要观点
- 算力需求激增:人工智能大模型训练推动xPU功率需求从3-5kW升至100kW以上,部分高端配置甚至可达MW级别。
- 供电系统挑战:包括高功率密度、高效率、高动态负载响应、高可靠性、复杂热管理等。
- 技术方向:东微半导体积极布局SiC MOSFET、GaN HEMT、超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET等高性能功率器件,同时结合数字电源控制技术,推动电源系统智能化发展。
- 产品矩阵:东微提供涵盖PSU、HVDC、IBC、VRM、eFuse等关键环节的完整产品线,支持从48V到800V乃至1500V的多电压等级应用。
- 战略价值:通过技术领先性、市场增长驱动、功率与数字协同、成本优势和政策支持,东微在算力服务器电源系统中占据重要地位。
关键信息
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技术挑战与解决方案
1.1 指数级增长的功率需求
- 算力服务器功率需求不断攀升,达到100kW以上。
- 800V总线架构和固态变压器(SST)成为解决高功率需求的首选方案。
1.2 能源效率、功率密度与热管理
- 48V总线架构在高功率下电流过大,导致效率下降和散热难题。
- 800V架构和SST可有效提升效率、降低铜材消耗,同时支持高功率密度设计。
- 东微半导体采用先进封装技术(如Source-Down、双面散热、模块化集成)解决散热问题。
1.3 可靠性
- IBC和VRM是供电系统中的关键环节,需具备高可靠性、快速故障隔离和高系统可用性(99.99%)。
- eFuse和固态断路器(SSCB)用于实现快速保护,防止过流、过压和短路等故障。
产品布局
AC-DC转换
- 东微提供48V和800V架构下的高性能功率器件,如SiC MOSFET和GaN HEMT。
- 产品涵盖多种封装形式,如TO-247、TOLL、QDPAK、PDFN等,以满足不同应用场景。
IBC(中间总线转换器)
- 东微推出SGT MOSFET、GaN HEMT等产品,用于IBC设计中的高效率、高功率密度和高动态响应。
- 与慧能泰合作推出数字控制器(如OSU1000A)和驱动器(如OSU30x0),提升IBC系统性能。
VRM(电压调节模块)
- VRM负责将12V转换为xPU所需超低电压(0.6-1.8V)。
- 东微开发了单级转换方案,以提高效率并减少系统体积。
eFuse和SSCB
- 东微推出800V、48V、12V级别的eFuse和SSCB产品,以支持快速故障隔离和系统保护。
- 产品具备低热阻、低导通电阻和快速响应时间(<5μs),适用于服务器内部供电保护。
未来产品路线图
| 时间节点 | 技术重点 | 产业化目标 |
|---|---|---|
| 2026—2028年 | 完善48V架构生态系统,推进800V架构商业化落地,实现液冷电源模块量产 | 在数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长,超级结MOSFET塑封模块实现量产 |
| 2028—2030年 | 研究1500V及以上电压等级功率器件,推动功率器件与控制电路的单封装集成 | 建立完整的12英寸氮化镓技术生态系统,实现算力服务器电源系统的智能化管理 |
| 2030年以后 | 第四代半导体技术、应用垂直供电架构普及、液冷与算力供电优化深度融合 | 推动中国第三代半导体产业的高质量发展,为全球算力服务器市场提供完整解决方案 |
技术演进与产业化路径
- 产业链协同:与晶湛半导体合作推进12英寸GaN外延材料技术,为高性能GaN器件提供材料基础。
- 研发投入:公司拥有179项专利,涵盖核心功率器件技术,支持技术路线图的实施。
- 规模化应用:推动产品在算力服务器中的广泛应用,提升系统效率和可靠性。
总结
东微半导体通过在第三代半导体材料、数字电源控制、先进封装和系统集成方面的持续创新,为算力服务器供电系统提供高性能、高可靠、智能化的解决方案。公司致力于构建从电网到xPU的全链路供电体系,以支持人工智能算力的快速发展,同时推动中国在高端功率半导体领域的自主可控与国产替代进程。
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