2024-08-07-上交所科创板-2024年半年度报告_206页_2mb
报告摘要
盛美半导体设备(上海)股份有限公司2024年半年度报告总结
公司概况
- 公司代码:688082
- 公司简称:盛美上海
- 公司全称:盛美半导体设备(上海)股份有限公司
- 法定代表人:HUI WANG
- 注册地址:中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
- 公司网址:www.acmrcsh.com.cn
- 信息披露邮箱:ir@acmrcsh.com
公司专注于为全球集成电路行业提供先进的设备及工艺解决方案,是大陆少数具有国际竞争力的半导体设备供应商之一,产品获得国内外主流厂商的认可。
财务表现
主要会计数据(2024年1-6月)
| 项目 | 本报告期(元) | 上年同期(元) | 增减幅度(%) |
|---|---|---|---|
| 营业收入 | 2,403,896,730.50 | 1,609,805,866.85 | 49.33 |
| 归属于上市公司股东的净利润 | 443,182,595.18 | 439,444,219.54 | 0.85 |
| 扣除非经常性损益的净利润 | 434,539,165.13 | 406,418,615.14 | 6.92 |
| 经营活动产生的现金流量净额 | 446,718,846.79 | -190,197,442.17 | 不适用 |
| 归属于上市公司股东的净资产 | 6,804,979,200.16 | 6,458,265,703.22 | 5.37 |
| 总资产 | 11,000,299,616.44 | 9,753,797,716.90 | 12.78 |
主要财务指标(2024年1-6月)
| 项目 | 本报告期(元/股) | 上年同期(元/股) | 增减幅度(%) |
|---|---|---|---|
| 基本每股收益 | 1.02 | 1.01 | 0.99 |
| 稀释每股收益 | 1.00 | 1.01 | -0.99 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收益 | 1.00 | 0.94 | 6.38 |
| 加权平均净资产收益率 | 6.63% | 7.64% | 减少1.01个百分点 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率 | 6.51% | 7.07% | 减少0.56个百分点 |
| 研发投入占营业收入比例 | 16.24% | 14.92% | 增加1.32个百分点 |
财务说明
- 营业收入增长:2024年上半年营业收入为24.04亿元,同比增长49.33%,主要得益于中国半导体设备需求旺盛,公司核心技术和产品多元化优势,以及新市场和新客户的开拓。
- 经营活动现金流:同比增长显著,主要因销售回款增加及预收货款增长。
- 研发投入:同比增长62.56%,主要由于产品改进、新工艺开发及研发人员增加。
核心业务与产品
前道半导体工艺设备
-
清洗设备
- SAPS兆声波清洗设备:采用扇形发生器,实现均匀能量分布,适用于28nm及以下工艺,有效解决图形结构损伤问题。
- TEBO兆声波清洗设备:适用于28nm及以下图形晶圆清洗,通过快速压力变化控制气泡,避免内爆,提升良率。
- 高温单片SPM设备:可处理高剂量离子注入后的光刻胶去除,最高可达230°C,提升清洗效率。
- 单片槽式组合Tahoe清洗设备:集成槽式与单片模块,减少硫酸使用量,提升环保效益。
- 单片背面清洗设备:采用伯努利卡盘,实现背面清洗与刻蚀,控制零底切。
- 边缘湿法刻蚀设备:适用于3D NAND、DRAM等,有效去除边缘污染物,提升良率。
- 前道刷洗设备:支持多种清洗方式,提升生产效率。
- 全自动槽式清洗设备:适用于40nm及以上技术节点,实现高效清洗与低污染。
-
电镀设备
- 前道铜互连电镀设备:采用多阳极技术,实现无孔洞镀铜,提升均匀性。
- 三维堆叠电镀设备:适用于3D TSV及2.5D转接板,支持高深宽比铜电镀工艺。
- 新型化合物半导体电镀设备:适用于SiC、GaN等第三代半导体材料,提升台阶覆盖率。
-
立式炉管设备
- 低压化学气相沉积炉:适用于氮化硅、多晶硅、氧化硅等薄膜沉积。
- 常压氧化扩散炉:用于氧化、退火、推阱等工艺。
- 原子层沉积炉:支持硅源沉积工艺,正在开发高低介质膜ALD技术。
-
涂胶显影Track设备
- Ultra Lith™ Track设备:支持多种光刻工艺,包括i-line、KrF和ArF,提升涂胶和显影效率。
-
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备
- Ultra Pmax™ PECVD设备:具有自主知识产权,提升薄膜均匀性和减少颗粒。
后道先进封装工艺设备
- 先进封装电镀设备:支持Pillar Bump、RDL、TSV等工艺,实现高电流密度电镀。
- 涂胶设备:适用于晶圆级封装,兼容多种光刻胶类型,提升生产效率。
- 显影设备:支持WLP工艺,具备灵活喷嘴扫描系统和精准药液控制。
- 湿法刻蚀设备:适用于边缘去除,减少对后续工艺的影响。
- 湿法去胶设备:提升WLP产能,实现高效去胶。
- 金属剥离设备:结合去胶与清洗,减少残留物。
- 无应力抛光设备:适用于铜互连和先进封装,提升平坦化效果。
- TSV清洗设备:适用于3D封装,实现高效清洗与干燥。
硅材料衬底制造设备
- 化学机械研磨后(Post-CMP)清洗设备:支持湿进干出(WIDO)和干进干出(DIDO)两种配置,提升硅衬底制造良率。
- Final Clean清洗设备:适用于6寸、8寸及12寸晶圆,实现高效清洗与环保。
核心技术与研发进展
核心技术列表
| 技术名称 | 技术先进性 | 应用领域 |
|---|---|---|
| SAPS兆声波清洗技术 | 国际先进 | 28nm及以下工艺、3D NAND、FinFET等 |
| TEBO兆声波清洗技术 | 国际领先 | 图形晶圆清洗、3D结构清洗 |
| 高温单片SPM清洗技术 | 国际领先 | 高剂量离子注入后的光刻胶去除 |
| Tahoe清洗技术 | 国际领先 | 12英寸晶圆清洗、减少硫酸使用 |
| 无应力抛光技术 | 国际领先 | 铜互连、先进封装 |
| 多阳极电镀技术 | 国际先进 | 铜互连、3D结构电镀 |
| 立式炉管技术 | 国际同行业同等水平 | 薄膜沉积、氧化扩散等 |
| 涂胶显影Track技术 | 国际同行业同等水平 | 300mm晶圆制造 |
| PECVD技术 | 国际同行业同等水平 | 薄膜沉积、干法工艺 |
研发投入
- 本期研发费用:3.90亿元,同比增长62.46%。
- 费用化研发投入:3.46亿元,同比增长62.56%。
- 资本化研发投入:0.44亿元,同比增长61.73%。
- 研发投入占营收比例:16.24%,较上年同期增长1.32个百分点。
研发人员情况
- 研发人员数量:776人,占公司总人数的46.22%。
- 研发人员薪酬:1.60亿元,同比增长43.96%。
- 平均薪酬:20.70万元,较上年同期增长19.95%。
- 学历构成:博士12人(1.55%)、硕士349人(44.97%)、本科348人(44.85%)。
核心竞争力分析
与国内外同行对比
| 项目 | 盛美上海 | 中国同行企业 | 国际巨头 |
|---|---|---|---|
| 兆声波单片清洗设备 | 技术先进,实现均匀能量分布与无损伤清洗 | 技术节点较落后,应用领域较窄 | 采用化学液体清洗与氮气雾化水物理清洗 |
| 技术节点及应用领域 | 覆盖28nm及以下工艺,适用于FinFET、3D NAND等 | 应用较局限 | 技术成熟,应用广泛 |
研发成果
- 截至2024年6月30日,公司及控股子公司共拥有463项已授权专利,其中发明专利461项。
- 本期新增:发明专利144项,获得27项,累计申请1304项,获得461项。
总结
盛美上海在2024年上半年实现了营业收入的显著增长,核心业务涵盖前道与后道半导体制造设备,技术覆盖清洗、电镀、炉管、涂胶显影、PECVD等关键环节。公司凭借自主研发的核心技术,如SAPS、TEBO、高温SPM、无应力抛光、多阳极电镀等,已达到国际先进水平,尤其在3D封装和化合物半导体领域具有明显优势。同时,公司研发投入持续增长,研发人员数量和薪酬均显著提升,技术积累和创新能力突出,为公司持续发展提供了强大支撑。
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