深度报告-20240417-山西证券-存储行业深度报告_把握行业周期反转机会_存储产业链国产替代空间大_44页_3mb

半导体存储行业深度报告核心摘要

行情分析

半导体存储行业迎来新一轮上行周期，供需错配推动价格上行。2024年全球智能手机、PC及AI服务器需求回暖，叠加三大存储原厂主动减产控库存，海外厂商库存水位趋于正常化，供需格局改善带动DRAM、NAND价格连续上涨，预计本轮周期涨幅将持续6-8个季度。

上行驱动因素

1. 供给端：三星、海力士、美光大幅削减资本开支，三星于2023年退出逆周期投资，产能收缩20%-30%，限制供应。
2. 需求端：
   • 智能手机：2024年预计出货量增长4%，单机存储容量突破100GB，AI手机需求推动DRAM/Capture显著增长。
   • PC市场：库存消化后复苏，2024年出货量增长8%，AIPC推动RAM容量提升3倍。
   • AI服务器：2024年增长205%，HBM搭载率达288%，带动DRAM/NAND需求暴增。

技术趋势

• 高端存储：DDR5渗透率2024年中突破50%，HBM市场规模2024年达169亿美元，友商定价策略促使国产替代加速。
• 国产突围：长鑫存储185nm DRAM量产，长江存储232层3DNAND领先全球；模组厂商佰维、德明利、江波龙市场份额快速提升。

投资建议

重点推荐标的：

1. 存储模组：佰维存储、德明利、江波龙
2. 存储芯片设计：兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份
3. HBM配套产业链：长电科技、通富微电、联瑞新材

风险提示：下游需求不及预期、技术迭代迟缓、地缘政治波动、国产化进程放缓风险。