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晶盛机电（300316）

英伟达新一代 GPU 有望采用碳化硅中介层，SiC 衬底新应用打开公司成长空间

证券分析师： 周尔双
执业证书：S0600515110002
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投资评级： 买入（维持）

分析师： 李文意
执业证书：S0600524080005
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核心观点

英伟达新一代 GPU 芯片计划在 CoWoS 工艺中采用碳化硅（SiC）取代硅中介层，目标导入时间为 2027 年，为 SiC 衬底应用带来市场机遇，进而推动晶盛机电的成长空间。

CoWoS 技术通过高密度集成多个芯片，显著缩小封装面积并提升性能，但随 GPU 功率增大，散热需求上升。碳化硅因其高热导率（达 490 W/m·K）和更好的耐化学性，有望显著提升散热效率，缩小封装尺寸。

目前，英伟达 H100 芯片使用 2,500 mm² 中介层，若未来替换为碳化硅中介层，对应单张芯片需 76,190 张 SiC 衬底。台积电预计 2027 年推出 7× 光罩 CoWoS，进一步扩大中介层面积，带来更大衬底需求。

晶盛机电积极扩产：

• 公司已攻克 12 英寸 SiC 晶体生长难题，具备 C 端衬底生产能力。
• 盈利预测与估值：2025-2027 年归母净利润预测分别为 10.1/12.5/15.4 亿元，对应动态 PE 为 45.53/36.75/29.79 倍，维持“买入”评级。

风险提示：

• 碳化硅导入 CoWoS 工艺不及预期；
• 技术研发与量产进度不及预期。

数据与信息摘要

• 股价走势： 当前股价为 35.00 元，过去一段时间波动较大。
• 财务预测：

  年份	总收入（百万元）	归母净利润（百万元）	净利润增长率
  2024A	17,577	2,510	(44.93)%
  2025E	12,034	1,007	(59.89)%
  2026E	13,082	1,247	23.88%
  2027E	14,797	1,538	23.37%

• 估值： 当前动态 PE 为 45.54 倍，PE 预计逐年下降至 29.80 倍。

附录：摘要

本摘要基于原始报告内容，上述信息已在报告中加以说明，更多财务数据与预测可在 报告全文 中查阅。