港股TMT策略报告:半导体材料系列报告之一,半导体概述-20171211-广发证券(香港)-23页-3mb
报告摘要
【港股TMT策略报告】半导体材料概述总结
核心内容
本报告主要围绕半导体材料展开,从半导体的基本性质、产业链结构、材料与设备分类、制造工艺、以及产业模式等多个方面进行了系统性的介绍。报告旨在为投资者提供关于半导体行业的基础知识,以及其在TMT(科技、媒体、通信)领域的投资价值分析。
主要观点
1. 半导体的基本性质
- 电导率特性:半导体的电导率介于金属($10^4 \Omega^{-1}\mathrm{cm}^{-1}$)与绝缘体($10^{-10} \Omega^{-1}\mathrm{cm}^{-1}$)之间,能够根据外界条件(如掺杂、温度、光照等)发生变化。
- 掺杂特性:
- 掺入V族元素(如磷、砷)形成N型半导体,提供自由电子。
- 掺入III族元素(如硼、氟化硼)形成P型半导体,提供自由空穴。
- PN结是半导体器件的基础结构,具有单向导电性,可应用于二极管、三极管、MOSFET等。
- 光电特性:
- 光生电:PN结在光照下产生电子-空穴对,用于光电探测器、太阳能电池等。
- 电生光:适用于直接带隙半导体(如GaAs、GaN),用于LED、激光二极管等。
2. 半导体产业链结构
半导体产业链分为三个主要环节:
- 上游:半导体材料和设备,包括晶圆、微细加工材料、封装材料、光刻机、离子注入机等。
- 中游:设计、制造、封测,涵盖逻辑电路设计、晶圆代工、封装测试等。
- 下游:半导体产品,包括集成电路、分立器件、光电子器件、传感器等。
3. 半导体材料与设备
- 晶圆材料:
- 第一代:硅(Si),工艺成熟,应用广泛。
- 第二代:砷化镓(GaAs),用于红外、绿光波段。
- 第三代:氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC),具有更高的击穿场强和热导率,适用于高功率、高频率应用,但成本较高。
- 微细加工材料:包括光刻胶、掩膜版、电子气体、湿化学品、溅射靶材、CMP材料等,对质量和纯度要求极高。
- 封装材料:主要包括引线框架、基板、封装树脂、键合丝等,其中基板为最大细分市场。
- 半导体设备:
- 主要由欧美日国家主导,ASML、应用材料、东京电子等为全球领先企业。
- 光刻机是关键设备,尤其是EUV光刻机,代表了最先进的技术。
4. 制造工艺
- 图形化工艺:包括光刻和刻蚀,是实现IC最小尺寸的关键。
- 掺杂工艺:包括扩散和离子注入,用于形成N型和P型半导体。
- 氧化工艺:用于制造MOSFET栅氧。
- 薄膜工艺:包括CVD、PVD、电镀、外延等,用于制备不同材料的薄膜。
- 平坦化工艺:如CMP,用于消除晶圆表面的不平整,提高加工精度。
5. 产业模式
- IDM模式:设计、制造、封测一体化,代表企业有Intel、Samsung等,对资金和技术要求极高。
- 垂直分工模式:设计、制造、封测分别由Fabless、Foundry、Assembly & Test企业承担,降低了企业进入IC产业的门槛。
- 市场格局:
- Fabless:美国占据60%以上市场份额,代表企业包括高通、博通、联发科等。
- Foundry:台积电是全球最大,占据约70%市场份额。
- Assembly & Test:中国已有一定积累,代表企业包括日月光、长电科技等。
关键信息
1. 半导体材料分类
| 类型 | 品类划分 | 禁带宽度(eV) | 电子迁移率 (cm²/V·s) | 带隙类型 | 发光波段 | 击穿场强 (MV/cm) | 热导率 (W/mK) | 工艺情况 | 成本 | 应用领域 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 硅 | 第一代 | 1.1 | 1350 | 间接带隙 | - | 0.3 | 1.5 | 工艺成熟,产能稳定 | 较低 | 集成电路、太阳能电池等 |
| 砷化镓 | 第二代 | 1.4 | 8000 | 直接带隙 | 红外 | 0.7 | 0.5 | 良率居中,产能居中 | 居中 | 无线射频模组、红外光源等 |
| 氮化镓 | 第三代 | 3.4 | 1500 | 直接带隙 | 蓝紫 | 3.5 | 1.3 | 良率较低,产能较低 | 较高 | 高性能军用射频、蓝光照明等 |
| 碳化硅 | 第三代 | 3.2 | 900 | 间接带隙 | - | 3 | 4.9 | 良率极低,产能极低 | 极高 | 高功率器件等 |
2. 湿化学品的SEMI标准
| SEMI标准 | 金属离子/ppb | 控制粒径/μm | 颗粒(个/mL) | 适合IC线宽范围/μm |
|---|---|---|---|---|
| C1(Grade 1) | ≤1000 | ≤1.0 | ≤25 | >1.2 |
| C7(Grade 2) | ≤10 | ≤0.5 | ≤25 | 0.8~1.2 |
| C8(Grade 3) | ≤1 | ≤0.5 | ≤5 | 0.2~0.6 |
| C12(Grade 4) | ≤0.1 | ≤0.2 | - | 0.09~0.2 |
| (Grade 5) | ≤0.01 | - | - | <0.09 |
3. 半导体市场产品划分
- 集成电路(IC)占比最高,达82%。
- 光电子器件占比9%。
- 分立器件占比6%。
- 传感器占比3%。
4. 技术与市场趋势
- 晶圆代工技术持续进步,2017年已实现10nm制程,用于苹果A11和华为麒麟970。
- 摩尔定律的推进速度放缓,从18个月延长至36个月。
- 4nm晶体管在2003年已有报道,成为当前最小尺寸的晶体管。
风险提示
- 半导体行业景气度回升不及预期。
- 国产化进程中的技术瓶颈未能突破。
- 下游行业销量不及预期。
- 人民币汇率大幅波动可能影响企业盈利能力。
行业评级
- 买入:预期未来12个月内,股价表现强于大盘10%以上。
- 持有:预期未来12个月内,股价相对大盘变动介于-10%~+10%。
- 卖出:预期未来12个月内,股价表现弱于大盘10%以上。
联系信息
- 分析师:惠毓伦,S0260511010003
- 联系方式:010-59136726,hyl6@gf.com.cn
- 研究助理:张晓飞,010-59136696,zhangxiaofei@gf.com.cn
- 联系地址:
- 广州市:广州市天河区林和西路9号耀中广场A座1401
- 深圳市:深圳福田区益田路6001号太平金融大厦31层
- 北京市:北京市西城区月坛北街2号月坛大厦18层
- 上海市:上海浦东新区世纪大道8号国金中心一期16层
免责声明
- 本报告仅供广发证券重点客户使用,不对外公开发布。
- 报告内容仅供参考,不构成投资建议。
- 广发证券不对因使用本报告而造成的损失承担责任。
展开完整摘要
试读结束,高清完整版pdf/doc/ppt,请点下载