电子行业化合物半导体：发展前景广阔，国产替代有望加速-20190919-广发证券-14页_1mb

报告摘要

化合物半导体发展分析总结

核心内容

化合物半导体主要包括砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等材料，因其在高频、高功率、高温等领域的优异性能，成为未来电子产业的重要发展方向。随着5G通信、新能源汽车、智能电网、光纤通信等应用的快速发展，化合物半导体市场前景广阔，预计全球市场规模将达百亿美元级别。同时，国家政策扶持与国产替代进程加快，推动中国企业在该领域快速成长。

主要观点

砷化镓半导体：主要用于微波功率器件，是5G通信、射频模块、无线网络等领域的关键材料。5G技术的发展将极大提升砷化镓的需求，代工模式逐渐成为行业主流。中国台湾的稳懋是该领域龙头，而三安光电通过子公司三安集成电路进入该市场，取得国内重要客户的合格供应商认证，与行业标杆企业展开全面合作。
氮化镓半导体：作为第三代宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率等优势，是微波器件和功率器件的理想选择。氮化镓功率半导体市场潜在规模达94亿美元，且已逐步被国际大厂采用。三安光电在氮化镓领域已实现客户送样，初步性能获认可。
碳化硅半导体：具备高耐压、低导通电阻和高频特性，适用于新能源、智能电网、电动汽车、光伏逆变器等领域。其市场容量预计未来将超过20亿美元，但目前受限于封装技术，工作温度上限约为175°C。
国产替代加速：国家政策推动下，中国在化合物半导体领域加速发展。三安光电作为国内领先企业，已取得重要客户认证，并通过与GCS合资成立三安环宇，进一步提升技术实力与市场竞争力。

关键信息

市场数据：2017年全球砷化镓元件市场总产值约为88.3亿美元，氮化镓市场潜在规模达94亿美元，碳化硅市场约5亿美元，预计未来增长显著。
技术优势：各化合物半导体材料在带隙、电子迁移率、击穿电场、导热率等方面具有显著优势，使其在高温、高频、大功率等应用场景中优于传统硅基材料。
三安光电进展：
- 成立三安集成电路有限公司，切入化合物半导体领域。
- 2015年非公开发行融资35亿元，用于建设GaAs/GaN外延片和芯片产线。
- 射频业务已实现批量供货，电力电子和光通讯业务进入量产阶段。
- 与GCS合资成立三安环宇，提升技术水平和客户资源。
政策支持：2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》发布，推动中国集成电路产业发展，化合物半导体成为重点扶持对象。
风险提示：行业发展速度低于预期、行业竞争加剧、新技术渗透率低于预期。