电子设备行业专题研究：第三代半导体大有可为-20201009-东方财富证券-27页_2mb

第三代半导体发展总结

核心内容

第三代半导体材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），因其在高温、高耐压、大电流等性能方面的显著优势，正逐步成为未来超越摩尔定律的重要方向。这些材料在电力电子、微波射频、新能源汽车、5G通信等领域展现出良好的应用前景。国家和地方政策持续支持第三代半导体产业的发展，推动产业链逐步完善。

主要观点

• 第三代半导体材料具备显著的性能优势，包括高温、高耐压和大电流，适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
• 全球第三代半导体市场正快速增长，预计到2024年，GaN市场规模将达到20亿美元，年复合增长率约21%；SiC市场规模预计在2025年将达到32亿美元，年均复合增长率超过30%。
• 中国在第三代半导体领域具备一定的发展潜力，尤其在消费电子、工业及新能源汽车领域占据重要市场份额，未来有望实现技术追赶和国产替代。
• 5G建设、新能源汽车发展、快充技术的普及等将为GaN和SiC器件带来巨大的市场需求。

关键信息

1. 国家政策支持

• 2016年国务院首次提出加快第三代半导体芯片技术与器件的研发。
• 2019年商务部及发改委将SiC超细粉体纳入鼓励外商投资目录。
• 2019年工信部发布《重点新材料首批次应用示范指导目录》，将GaN和SiC相关产品列入。
• 2020年7月，国务院发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，进一步鼓励第三代半导体产业发展。

2. 地方政策支持

• 2019年，我国地方各级政府共计出台32项支持政策，涉及集群培育、科研奖励、人才培育和项目招商等方面。
• 北京、上海、广州、深圳、济南、长沙、成都等地均推出支持第三代半导体发展的具体措施，如资金补贴、技术引进等。

3. 产业链布局

• 第三代半导体产业链包括衬底、外延生长、设计、制造和封装五大环节，国内企业正在逐步完善产业链布局。
• 国外在SiC和GaN衬底及外延片方面具有较强优势，国内企业如瀚天天成、天科合达等在衬底和外延片领域逐步缩小差距。
• 华润微和三安光电在第三代半导体制造方面具有显著进展，华润微已建成6英寸SiC商用产线，三安集成具备GaN和SiC晶圆代工能力。

4. 市场应用

• GaN 主要应用于射频及快充领域，预计2024年市场规模将达20亿美元，其中无线通讯应用增长最快。
• SiC 在新能源汽车领域应用广泛，特斯拉、比亚迪等企业已开始采用SiC技术，预计2024年车用SiC市场规模将达19.3亿美元。
• 5G基站建设推动GaN射频器件需求增长，预计到2024年我国GaN射频器件市场规模将接近300亿元。

5. 投资建议

• 华润微（688396）：国内领先的功率半导体制造商，已建成6英寸SiC商用产线，具备SiC全产业链布局能力。
• 三安光电（600703）：设立三安集成，专注于化合物半导体研发制造，具备GaN和SiC晶圆代工能力，产品包括碳化硅肖特基二极管、氮化镓场效应晶体管等。

6. 市场趋势

• 2019年我国第三代半导体产业投资金额达265.8亿元，同比增长54.53%，其中SiC项目占比达83.07%。
• 2016-2019年，我国第三代半导体产业值持续增长，2019年达到64亿元，同比增长53.07%。
• 2024年，我国第三代半导体电力电子器件市场规模预计达到200亿元，年均复合增速超过40%。

风险提示

• 国内厂商技术研发不及预期；
• 国家支持政策力度不及预期；
• 国外领先厂商市场竞争加剧。

评级标准

• 股票评级：

  • 买入：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅15%以上；
  • 增持：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于5%～15%之间；
  • 中性：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于-5%～5%之间；
  • 减持：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于-15%～-5%之间；
  • 卖出：相对同期相关证券市场代表性指数跌幅15%以上。

• 行业评级：

  • 强于大市：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅10%以上；
  • 中性：相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于-10%～10%之间；
  • 弱于大市：相对同期相关证券市场代表性指数跌幅10%以上。

总结

第三代半导体材料正逐步成为推动产业技术升级和节能减排的重要力量，国家和地方政策支持不断加强，产业链布局逐步完善，市场应用前景广阔。在GaN和SiC领域，国内企业正在加速追赶，未来有望在快充、5G射频、新能源汽车等应用领域实现突破。投资建议关注华润微和三安光电等重点企业，但需注意技术研发、政策支持及国际竞争等潜在风险。