玻璃基封装行业专题_玻璃基板有望成为先进封装新平台_17页_1mb

报告摘要

玻璃基封装行业专题总结

行业背景与趋势

随着AI计算和高性能计算（HPC）需求的快速增长，芯片封装技术正朝着更大面积、更高I/O密度、更多HBM集成和更低功耗的方向发展。传统有机载板（如ABF/BT）在大尺寸封装中面临翘曲、平整度、线宽线距和信号完整性等方面的瓶颈，难以满足高性能芯片的封装需求。玻璃基板凭借其低介电损耗、高平整度、与硅相近的热膨胀系数以及TGV高密度互连能力，正成为先进封装的重要解决方案。

玻璃基板的核心优势

物理性能优异：玻璃基板具备优良的热学和电学性能，能够有效降低信号损耗和提升互连密度。
大尺寸加工潜力：玻璃材料支持大尺寸面板级加工，面积利用率可达75%，优于传统圆形晶圆。
高平整度与低翘曲：玻璃基板在回流焊过程中表现出更好的平整度，有助于提升封装良率。
适用于多种场景：包括AI/HPC大芯片、Chiplet异构集成、高速光电互连和面板级扇出封装等。

玻璃基封装技术概述

玻璃基封装（Glass carriers / Glass Core Substrate / Glass Interposer）通过TGV（玻璃通孔）、RDL（重布线层）、金属化、电镀、临时键合和面板级加工等工艺，实现芯片、HBM、I/O die和系统基板之间的高密度互连。其核心是通过TGV技术提供垂直互连路径，提升集成度和性能。

主流制造工艺流程

玻璃通孔（TGV）形成：通过激光诱导后湿法刻蚀法实现高精度成孔。
金属化：在玻璃表面或内部沉积金属种子层，确保导电性。
填孔技术：采用铜浆塞孔或电镀填孔技术完成通孔填充。
表面线路：沿用HDI和有机载板芯板图形技术，包括减成法和半加成法。

主要应用场景分类

玻璃芯基板：作为封装基板替代或补充方案，用于大尺寸芯片封装。
玻璃中介层：承担芯片间高密度互连功能，适用于异构集成。
临时键合载板：用于晶圆级或面板级制程中的搬运与支撑。

主要企业布局

京东方A：已启动玻璃基载板技术调研，建设晶圆级创新实验平台及板级封装载板试验线，2025年完成高层数玻璃基载板样品开发。
深天马A：开展大尺寸面板级扇出型封装技术开发，目前进行玻璃基封装基板样品开发。
蓝思科技：发布TGV玻璃基板技术，与海外客户联合开发，建立中试线和专用厂房。
沃格光电：布局玻璃基RF射频器件、光模块/CPO封装载板及大算力芯片先进封装用全玻璃基载板。

行业龙头技术布局

TSMC：布局3D Fabric技术，包括CoWoS、InFO和SoIC，其中CoWoS用于AI/HPC芯片，支持更大面积和更高HBM集成。
Intel：采用EMIB和Foveros技术路线，EMIB强调横向互连，Foveros侧重2.5D/3D堆叠，已展示结合EMIB与玻璃基板的样品。
SK Absolics：将玻璃基板定位为下一代先进封装基板，目标应用于AI、HPC和数据中心，提升性能和降低功耗。

市场前景与预测

市场规模：据Yole预测，2030年先进载板市场规模将达310亿美元，2024-2030年CAGR为8.1%。
玻璃芯基板：预计2028年左右开始小批量生产，主要由AI加速器等高性能HPC应用驱动。
产能瓶颈：2.5D/3D封装因AI需求爆发而陷入产能瓶颈，TSMC、Intel、SPIL分别占据全球2.5D封装产能的70.2%、12.7%和9.5%。