20260814-华泰证券-华泰_电新_算力升级下AI电源四大趋势_63页_11mb
报告摘要
华泰 | 电新:算力升级下AI电源四大趋势总结
核心内容概述
随着AI算力需求的快速提升,下一代AI超节点机柜的功率密度非线性增长,推动AI电源系统向更高电压、多层备电、模块集成和升级前置方向演进。800V直流方案成为必然选择,国内外800VDC产业化有望齐头并进。同时,国内厂商如字节跳动也在积极推动800VDC技术应用,为国内市场注入信心。
主要观点与关键信息
1. AI电源四大趋势
- 更高电压:为解决高功率密度带来的物理瓶颈,800VDC成为首选方案,白区电源率先改造,灰区随后跟进。
- 多层备电:AI负载波动范围广,需由单一UPS演变为MLCC、超级电容、BBU与BESS协同的多层级缓冲体系。
- 模块集成:模块化撬装方案显著降低建设时间和人力成本,推动供应链向标准化演进。
- 升级前置:为应对未来高功率机柜需求,AIDC需提前锁定800VDC架构,推动产业升级。
2. 800VDC产业化节奏与市场空间
- 全球市场空间:预计2025年为542亿美元,2030年将增长至2567亿美元,对应CAGR为36%。
- SST市场:预计2030年成长为274亿美元,对应CAGR为192%。
- 渗透率:2027年全球800VDC渗透率为40%,2028年为76%,2030年有望达到93%。
3. 华泰与行业观点差异
- 华泰认为800VDC是未来数据中心供配电架构的必选,即使芯片迭代有延迟,800VDC的升级需求仍具确定性。
- 预计2026~2027年将出现产能和订单抢跑,标志800VDC升级周期启动。
4. 投资方向建议
- 白区电源改造:受益于800VDC导入,具备HVDC/HV IBC能力的厂商有望受益。
- SST技术:具备机电撬装模块能力及SST技术积累的公司有望受益。
- 储能与电容:多时间尺度的功率缓冲需求推动储能设备市场增长。
- 功率半导体:SiC和GaN是AI电源功率密度提升的技术底座,其中GaN在HV IBC和HVDC模块中应用广泛,预计CAGR达66%。
投资机会分析
主线 a:白区电源改造
- AI机柜功率密度提升将带来母线体积和散热瓶颈,推动白区电源800V化。
- 高压、低流、少转换的800VDC方案具备显著优势,替代传统UPS和PSU。
主线 b:SST技术
- SST具备高集成度和效率,适配模块化机电撬装趋势,有望缓解工频变压器供应压力。
- 具备相关技术积累的公司将在SST市场中受益。
主线 c:储能与电容需求
- AIDC储能需求按时间尺度分层,覆盖多个环节,储能龙头将受益。
- 多时间尺度配储带来增量空间,提升整体供电系统稳定性。
主线 d:功率半导体
- 第三代半导体(SiC、GaN)助力AI电源小型化和高功率密度。
- SiC在SST中应用广泛,GaN在HV IBC中占据主流,两者市场空间将显著增长。
风险提示
- AIDC装机不及预期
- SST落地不及预期
- 芯片迭代不及预期
市场空间预测
- 全球AI电源市场:预计从2025年的542亿美元增长至2030年的2567亿美元。
- 海外市场:2025年为430亿美元,2030年将达2387亿美元,CAGR为41%。
- 国内市场:预计2025年为142亿美元,2030年为1140亿美元,CAGR为18%。
国内与海外800VDC发展节奏
- 海外:2026年800VDC装机量为22GW,2027年达61GW,2028年为85GW,2030年将达105GW。
- 国内:预计2030年800VDC渗透率为70%,对应AIDC装机约14GW。
800VDC与SST的渗透率对比
- 全球:2027年SST需求为2.49GW,2028年为19.52GW,2030年为65.63GW。
- 国内:预计2030年SST需求为16.65GW。
技术与产业趋势
- 标准化与认证:英伟达推动800VDC标准化,明确工程设计标准,加速产业落地。
- 直流配电安全与保护:明确接地保护、分区保护、断路设备升级和接口保护等关键环节,提升安全性。
- 模块化与集成化:推动供应链向标准化演进,提升建设效率和降低运维成本。
总结
AI电源在算力升级背景下将呈现四大趋势:更高电压、多层备电、模块集成和升级前置。800VDC方案将逐步成为主流,SST技术具备较大增长潜力。国内厂商如字节跳动也在积极推动800VDC技术,为国内市场带来增长机遇。投资机会集中在白区电源改造、SST技术、储能与电容、以及功率半导体等领域,未来市场空间广阔。
展开完整摘要
试读结束,高清完整版pdf/doc/ppt,请点下载