半导体设备行业深度-AI发展带动HBM需求爆发-看好半导体设备商充分受益_34页_1mb

半导体设备行业深度分析：AI发展带动HBM需求爆发，设备商受益

核心内容概览

随着AI技术的快速发展，HBM（高带宽内存）需求持续爆发，推动存储行业进入新一轮扩产周期。同时，DRAM供需持续偏紧，全球存储行业面临产能紧张局面，AI对存储的挤出效应在未来两年内仍难以缓解。

主要观点

1. AI驱动HBM需求激增

• AI训练与推理需求增长，推动GPU、ASIC等AI芯片出货量持续提升，HBM作为AI芯片的关键组件，需求呈现量价齐升趋势。
• 全球HBM wafer需求将从2024年的2.9万片/月增长至2028年的44.2万片/月，年均复合增速超过90%。
• 2026年全球AI芯片出货量预计达到约2,657万颗，年均复合增速约38%。

2. HBM带动存储制程升级，设备投资需求上升

• 随着HBM向HBM4、HBM4E演进，DRAM制程持续升级，3D NAND向更高层数发展，设备投资需求同步增加。
• 薄膜沉积、刻蚀、量测设备合计占存储设备资本开支超过50%，成为本轮扩产周期的核心受益环节。

3. 国内外存储厂商同步扩产，设备商受益

• 海外厂商如三星、SK海力士、美光持续扩大HBM与先进DRAM产能，国内厂商如长鑫存储、长江存储扩产节奏加快，国产存储市占率有望提升。
• 存储行业面临供需紧平衡，设备厂商将受益于持续扩产需求。

4. AI算力需求推动存储成本上涨，影响终端市场

• 存储成本上涨传导至终端产品，导致智能手机、新能源汽车等领域的出货量下降，利润空间被压缩。
• 长鑫科技等存储厂商通过战略配售与下游客户建立稳定合作，缓解成本压力。

5. 存储扩产带来设备投资增长

• 存储行业技术迭代加速，设备投资规模随制程节点的提升而增加，如5nm制程设备投资额是28nm的3.5倍。
• 薄膜、刻蚀、量测设备在存储扩产中的占比超50%，相关厂商将显著受益。

关键信息

1. HBM市场结构

• 2025年，HBM市场由SK海力士（58.3%）、三星（20%）、美光（20%）主导。
• HBM3e系列占96.3%，HBM4系列仅占0.6%，尚未实现大规模量产。

2. HBM对DRAM产能的挤占

• 2024-2028年，HBM wafer需求从2.9万片/月增至44.2万片/月，年均复合增速超过90%。
• HBM在DRAM产能中的占比预计从2025年的17.1%提升至2027年的22.5%，AI需求占HBM产能比重从58.5%提升至79.5%。

3. AI芯片对HBM的拉动

• 英伟达GPU迭代推动HBM容量与带宽升级，如Vera Rubin单GPU容量达288GB、带宽22TB/s，Rubin Ultra有望达到1TB。
• 谷歌TPU的HBM容量和带宽持续提升，如TPU v8i单芯片容量达288GB、带宽8.6TB/s。

4. 存储成本上涨对终端的影响

• 存储成本占智能手机售价比重从15%上升至40%，导致低端机型利润空间被大幅压缩。
• 新能源汽车中端车型因存储成本上涨，部分型号销量下滑，甚至出现单车亏损。

5. 存储扩产趋势与设备需求

• 全球DRAM产能预计在2030年翻倍，长鑫存储、长江存储市占率稳步提升，有望进一步扩大市场份额。
• 存储设备投资中，薄膜沉积、刻蚀、量测设备占比超50%，是设备商的主要受益环节。

投资建议

前道设备

• 重点推荐：北方华创、中微公司、迈为股份、芯源微、屹唐股份、中科飞测、精测电子、天准科技、拓荆科技、微导纳米、先导基电、华海清科、盛美上海、晶盛机电
• 理由：产品矩阵与存储扩产需求高度吻合，具备平台化能力及国产替代优势。

后道设备

• 重点推荐：长川科技、华峰测控
• 建议关注：联讯仪器、精智达、联动科技

材料和零部件

• 重点推荐：富创精密、新莱应材、英杰电气、汉钟精机、晶盛机电

风险提示

• 半导体行业投资不及预期
• 设备国产化进程不及预期
• 技术迭代及工艺路线变化风险
• 下游扩产不及预期
• 新产品研发及验证不及预期