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报告摘要

北京燕东微电子股份有限公司2025年半年度报告总结

公司基本信息

公司简称：燕东微
公司代码：688172
公司全称：北京燕东微电子股份有限公司
法定代表人：张劲松
注册地址：北京市朝阳区东直门外西八间房
办公地址：北京市北京经济技术开发区经海四路51号
邮政编码：100176
公司网址：https://www.ydme.com
电子信箱：bso@ydme.com

财务概况

主要会计数据

项目	本报告期（1-6月）	上年同期	增减幅度 (%)
营业收入	658,941,289.28	616,709,361.77	6.85
利润总额	36,108,024.27	-51,190,108.35	不适用
归属于上市公司股东的净利润	127,605,338.40	-15,133,992.94	不适用
扣除非经常性损益的净利润	-389,844,713.50	-73,542,986.93	不适用
经营活动产生的现金流量净额	221,152,782.81	204,997,352.66	7.88
归属于上市公司股东的净资产	14,769,174,056.01	14,677,831,705.75	0.62
总资产	24,864,047,146.94	24,060,196,692.14	3.34

主要财务指标

项目	本报告期（1-6月）	上年同期	增减幅度 (%)
基本每股收益（元/股）	0.11	-0.01	不适用
稀释每股收益（元/股）	0.11	-0.01	不适用
扣除非经常性损益后的基本每股收益（元/股）	-0.32	-0.06	不适用
加权平均净资产收益率（%）	0.86	-0.10	增加 0.96 个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%）	-2.64	-0.50	-2.14
研发投入占营业收入比例（%）	55.24	18.38	36.86

非经常性损益情况

非经常性损益项目	金额（元）	附注
非流动性资产处置损益	535,574,248.09	第八节、七、68、71
政府补助	55,129,204.54	第八节、七、67
金融资产和负债公允价值变动损益	16,331,750.28	第八节、七、68、70
债务重组损益	6,098,536.36	第八节、七、67、68
其他营业外收入和支出	44,261.90	第八节、七、74、75
合计	517,450,051.90	-

扣除股份支付影响后的净利润

项目	本报告期（1-6月）	上年同期	增减幅度 (%)
扣除股份支付影响后的净利润	188,280,478.83	-14,019,868.89	不适用

行业与市场分析

所属行业

公司主营业务涵盖分立器件及模拟集成电路设计、生产与销售，以及提供开放式晶圆制造、封装测试等服务，属于半导体行业，行业代码为 C39。

行业发展趋势

全球市场：2025年全球集成电路市场规模预计达到6,116亿美元，同比增长 13.36%。
中国市场：2024年中国半导体产业销售规模为14,419.1亿元，同比增长 17.4%，占全球增长比例 80% 以上。
技术方向：公司聚焦 6+8+12英寸产线布局，推动 特色工艺 和 硅光技术 研发，提升产品性能与市场竞争力。

公司行业地位

公司作为 国内知名的集成电路及分立器件制造和系统方案提供商，在功率器件、高稳定集成电路及器件、硅光等细分领域具备领先优势，尤其在 高稳定光电耦合器 和 高压CMOS模拟开关 等产品上实现突破。

技术研发与创新成果

研发投入情况

本期研发费用：364,013,289.44元，同比增长 221.21%。
研发费用占比：占营业收入比例为 55.24%，显著高于上年同期 18.38%。

主要研发成果

65nm 12英寸生产线：突破多项关键技术，完成低压SGT、Trench NMOS、650V IGBT等多个工艺平台搭建，导入上百款芯片。
硅光工艺平台：完成 SiN硅光PDK1.5，性能达到行业先进水平，实现规模化量产。
8英寸生产线：完成 600V BCD工艺平台，芯片出芯率提升 5%。
6英寸SiC生产线：完成小pitch MOSFET技术验证版流片，确认工艺基限。
研发投入成果：累计申请专利 656项，其中发明专利 192项、实用新型专利 360项、软件著作权 46项，获得专利 509项，其中发明专利 101项。

研发人员情况

研发人员数量：450人，占员工总数 14.75%。
学历构成：
- 博士研究生：44人（1.44%）
- 硕士研究生：227人（7.44%）
- 本科：137人（4.49%）
- 专科：41人（1.34%）
- 高中及以下：1人（0.03%）
研发人员平均薪酬：17.89万元，同比增长 17.89%。

核心竞争力分析

设计、制造、封测一体化：公司整合芯片设计、晶圆制造、封装测试等环节，形成完整产业链。
全产线工艺平台布局：6英寸、8英寸、12英寸生产线同步发展，支持多种工艺平台量产。
高稳定集成电路及器件：在高温、低温、腐蚀等特殊环境下仍具有高可靠性和稳定性，广泛应用于高端设备。
硅光技术突破：完成 SiN硅光PDK1.5，在光通信、激光雷达等领域实现技术转化。
人才矩阵建设：公司注重人才引进与培养，构建多层次、多领域的人才体系。

风险提示

技术迭代风险：半导体行业技术更新快，若无法持续创新将影响竞争力。
研发不及预期风险：研发成果存在不确定性，如试产良率不达预期或专利申请受阻，可能影响收益。
核心技术人才流失风险：随着行业竞争加剧，核心技术人才流失可能影响技术突破和产品迭代。

总结

燕东微在2025年上半年实现了营业收入同比增长 6.85%，并实现 扭亏为盈。公司持续加大研发投入，推动 65nm 12英寸生产线、硅光技术、高稳定集成电路 等核心项目的进展，提升技术水平与市场竞争力。公司拥有 450名研发人员，占员工总数 14.75%，并在多个领域取得技术突破，如 SiN硅光工艺、BCD工艺平台、高压CMOS模拟开关 等。同时，公司面临 技术迭代、研发不及预期 和 核心技术人才流失 等主要风险，需持续加强创新与人才管理以应对挑战。