人工智能系列专题报告（二）-HBM算力卡核心组件-国内产业链有望受益-甬兴证券_26页_1mb

HBM（高带宽内存）作为人工智能算力卡核心组件，其市场需求将随智算中心建设及高性能计算需求增长而提升。2021年SK海力士推出全球首款HBM3产品并实现量产，HBM3通过垂直堆叠DRAM芯片设计，数据处理速度达819GB/s，较HBM2E提升约78%。2023年SK海力士进一步推出HBM3E，单颗容量提升至24GB，数据传输速率可达115TB/s，散热性能提升10%，预计2024年将应用于英伟达GH200计算卡。据Mordor Intelligence预测，2024年HBM市场规模达252亿美元，2024-2029年复合增长率2586%，2028年全球市场规模或达632亿美元。

HBM技术发展历经四代迭代，以硅通孔（TSV）和重布线（RDL）技术为核心，显著提升存储系统性能与容量。其应用领域从数据中心向消费电子、汽车ADAS、AR/VR等扩展，受益于国产替代进程及算力需求增长。SK海力士、三星、美光三家企业主导全球HBM市场，市占率分别为50%、40%、10%。2023年HBM需求同比增长58%，2024年预计再增长30%，主要受英伟达A100/H100、AMD MI200/MI300及谷歌TPU等算力芯片需求推动。

国内产业链企业有望受益于HBM需求增长，主要包括：聚辰股份具备DDR5内存模组SPD产品技术储备，澜起科技为全球DDR5内存接口芯片三大供应商之一，联瑞新材供应HBM封装材料Lowα球铝，赛腾股份完善HBM/TSV制程工艺检测，华海诚科提供HBM封装用环氧塑封料，壹石通的Low-α球形氧化铝有望2024年批量出货。技术方面，SK海力士通过机器学习优化信号偏移问题，将传输延迟缩短30%，并采用PVT感知时序优化技术提升性能。

市场因素显示，存储周期回暖叠加国产替代加速，国内企业将同步受益于供应链升级及行业景气周期。AI算力需求爆发推动HBM市场增速远超存储芯片平均水平，2023年中国HBM需求量预计突破100万颗。但需关注中美贸易摩擦、下游需求不及预期及国产替代进度等风险。中长期来看，存储技术迭代、政策支持及消费电子应用扩展将形成三因素共振效应，带动HBM产业持续发展。