电子行业存储板块追踪十二：存储现货价涨跌互现，行业底部利好频出，美光未通过大陆审查，关注存储本土化进度-20230522-中泰证券-51页_1mb

存储板块追踪十二：DRAM与NAND价格走势及行业动态

核心内容概述

本报告分析了2023年4月DRAM和NAND市场的价格走势、行业动态及投资建议。整体来看，存储市场仍处于下行周期，但部分料号价格出现上涨，显示出市场底部的积极信号。同时，美光产品未通过大陆审查，对Q1存储厂商业绩造成一定影响，但未来市场复苏预期增强。

主要观点

1. DRAM价格走势

• 合约价：4月主流DRAM合约价持续下跌，跌幅约20%左右，创新低；利基DRAM合约价跌幅收窄，部分料号价格出现回升。
• 现货价：部分大容量料号价格首次上涨，尤其是DDR5和部分DDR4产品，表明市场底部已现，需求可能逐步恢复。
• 价格倒挂情况：DDR3与DDR4的价差在4月已缩小至0，不再出现倒挂现象。
• 市场格局：DRAM市场由三星、海力士、美光三巨头主导，合计市占率超过90%。大陆厂商如兆易创新、北京君正、东芯股份等主要聚焦利基DRAM市场。

2. NAND价格走势

• 合约价：4月NAND合约价跌幅收窄，尤其是利基NAND（如SLC）价格趋于稳定，部分型号甚至出现上涨。
• 现货价：涨跌互现，部分型号价格跌幅收窄，市场波动性有所下降。
• 技术趋势：3D NAND技术逐步替代2D NAND，TLC和QLC成为主流产品，预计2025年3D NAND将占闪存市场97.5%。
• 市场格局：NAND市场由六家海外厂商主导，大陆厂商如长江存储在主流NAND领域有所布局。

关键信息

1. 价格数据

2. 行业动态

• 美光未通过大陆审查：美光在华产品未通过网络安全审查，大陆关键信息基础设施需停止采购其产品，影响其在中国市场表现。
• Q1业绩承压：全球主要存储厂商Q1业绩普遍下滑，三星、海力士、美光等均出现大幅亏损。
• 技术进展：SK海力士推出12层堆叠HBM3 DRAM，铠侠与西部数据加速合并，三星宣布减产。

3. 大陆厂商动态

• 兆易创新：2023年自研DRAM采购金额较2022年翻倍，加速布局DRAM市场。
• 东芯股份：拟回购股票，彰显对公司发展的信心。
• 北京君正：在利基DRAM市场出货量最大，且在SLC NAND领域有重要布局。
• 长江存储：专注3D NAND，2021年量产128层TLC NAND，2023年逐步向主流NAND迈进。

投资建议

• 积极关注大陆存储标的：包括兆易创新（Nor+DRAM+NAND全覆盖）、东芯股份（SLC NAND龙头）、北京君正（车载DRAM龙头）、深科技（封测龙头）、江波龙（存储模组龙头）等。
• 复苏预期：随着Q2及H2市场逐步复苏，存储行业有望迎来量价齐升。
• 技术突破：关注3D NAND、SLC NAND等技术方向，未来增长潜力较大。

风险提示

• 下游需求不及预期：若疫情反复或经济疲软，可能影响存储需求。
• 产能瓶颈：新建产能进展受阻，影响公司业绩。
• 技术迭代不及预期：若技术发展缓慢，可能影响竞争力。
• 中美贸易摩擦：大陆半导体产业链尚未完全去美国化，存在供应链风险。
• 信息更新滞后：研报信息基于公开数据和调研，可能存在滞后或偏差。

附录：跟踪逻辑

• 存储市场具有强周期性，价格变化是反映行业景气度的重要指标。
• 重点关注DRAM和NAND的合约价与现货价变化，以及技术迭代和市场需求。
• 大陆厂商在利基市场有较强竞争力，未来有望逐步向主流市场拓展。