集成电路行业深度报告_Memory产业格局巨变_利好全产业链_22页_1mb

报告摘要

集成电路行业深度报告总结：Memory产业格局巨变，利好全产业链

核心内容

本报告分析了Memory产业在2015年的发展趋势与投资机会，指出中国Memory产业正迎来历史性的变革机遇。通过紫光集团的资本运作，中国在NAND Flash领域已获得全球约19.7%的产能，并计划进一步进入DRAM领域，推动国内Memory产业的快速发展。报告认为，Memory产业的成长性优于半导体行业平均水平，且具备进口替代空间大、进入门槛低、政策扶持力度强等优势。

主要观点

Memory产业格局巨变：紫光集团通过收购西部数据和同方国芯，间接控制全球约30-35%的NAND Flash产能，未来有望进入DRAM领域，推动全球Memory产业格局变化。
中国切入Memory的优势：
1. 进口替代空间大、成长性好：2014年国内Memory市场规模达520亿美元，自给率几乎为0，且DRAM和NAND Flash的复合增长率分别为11.0%和5.5%，高于行业平均水平。
2. 切入门槛低：Memory产品标准化程度高，下游转换成本低；制程要求相对较低，中国已有28nm制程能力；设计难度低，无需复杂指令集和逻辑运算。
3. 产业政策扶持和制造优势：国家政策支持Memory产业，推动国产化率提升，同时国内拥有庞大的市场和制造能力，吸引全球产业转移。
Memory产业成长性：NAND Flash和DRAM预计在2015-2018年期间分别实现20%和12.1%的复合增长率，2018年国内市场规模将分别达到180亿和210亿美元。
行业投资评级：整体给予“推荐”评级，看好Memory产业链的全面受益。

关键信息

NAND Flash领域

全球市场格局：三星、东芝、SanDisk等占据全球70%以上的市场份额。
中国市场容量：2014年为70亿美元，预计2018年达到180亿美元，占全球39.1%。
技术趋势：3D NAND技术将显著降低成本，预计2016年将成为主流，国内有望借此实现弯道超车。
产能增长：预计2018年全球NAND Flash市场规模将达460亿美元，国内企业将逐步提升市场份额。

DRAM领域

全球市场格局：三星、海力士、美光三巨头占据全球90%以上市场份额。
中国市场容量：2014年为120亿美元，预计2018年达到210亿美元，占全球29%。
价格趋势：DRAM价格持续下降，DDR3的均价从29美元降至17美元，跌幅41%。
技术发展：未来5年DDR4将成为主流，制程进入20nm以内，技术门槛逐步提高。

产业链与受益标的

上游：主要涉及半导体化学材料和硅片制造，推荐标的包括：
- 上海新阳：国内半导体化学龙头，受益于进口替代和国产化率提升。
- 中环股份：单晶硅王者，大硅片替代空间巨大。
- 七星电子：稀缺的半导体设备供应商，受益于国产化设备需求增长。
中游：涉及存储芯片制造，推荐标的：
- 同方国芯：800亿定增后，预计占全球NAND Flash产能约10%，进入全球存储第一梯队。
下游：涉及封装测试，推荐标的包括：
- 太极实业：国内唯一纯正的DRAM测封标的，受益于Memory产业格局变化。
- 长电科技：全球封测巨头，国内虚拟IDM核心，具备高端封装技术优势。