20151129-财富证券-集成电路行业深度报告_Memory产业格局巨变_利好全产业链_22页_1mb_1mb

报告摘要

集成电路行业深度报告：Memory产业格局巨变，利好全产业链

核心内容

本报告分析了Memory产业在2015年的发展格局，指出中国Memory产业正迎来重大变革。紫光集团通过资本运作间接控制了全球30%-35%的NAND Flash产能，并计划进入DRAM领域，带动国内Memory产业格局发生根本性变化。报告认为，中国在Memory产业具备显著优势，包括进口替代空间大、门槛低、政策扶持及制造优势，未来有望在该领域实现快速发展。

主要观点

Memory产业格局巨变：紫光集团通过收购西部数据、注入同方国芯800亿元定增项目，控制了全球NAND Flash产能的30%-35%，并计划进入DRAM领域。
中国Memory产业优势：
- 进口替代空间大，2014年国内Memory市场规模达520亿美元，自给率几乎为0。
- 进入门槛低，Memory产品高度标准化，下游转换成本低，且对制程要求不高。
- 政策扶持力度大，国家出台多项政策支持集成电路产业发展，尤其是Memory领域。
NAND Flash：中国切入的第一站：
- 全球NAND Flash市场规模预计在2015-2018年复合增长20%，2018年中国市场容量达180亿美元。
- 3D NAND技术带来成本优势，中国企业有望借此实现弯道超车。
DRAM：未来切入的领域：
- 全球DRAM市场由三星、海力士、美光三大巨头占据90%以上市场份额。
- 中国DRAM市场预计在2015-2018年复合增长12.1%，2018年市场规模达210亿美元。
- 未来5年DDR4将成为主流，但DRAM制造门槛高，短期内难以突破。
产业链与受益标的：
- Memory产业链包括上游设计、中游制造、下游封测，中国企业在各环节均有布局。
- 上游推荐：上海新阳、中环股份、七星电子；中游推荐：同方国芯；下游推荐：太极实业、长电科技。

关键信息

Memory分类：分为NAND Flash（非易失性存储器）和DRAM（易失性存储器），其中NAND Flash和DRAM占据Memory产业产值的37%和57%。
Memory市场规模：
- 2014年国内Memory市场规模520亿美元，预计2018年达到850亿美元。
- 2018年全球NAND Flash市场规模460亿美元，DRAM市场规模730亿美元。
3D NAND技术优势：
- 存储容量增加50%，成本降低30%-35%，功耗降低40%以上。
- 2016年3D NAND市占率将达49.8%，2017年65.2%。
国内Memory产业链：
- 上游：上海新阳、中环股份、七星电子。
- 中游：同方国芯。
- 下游：太极实业、长电科技。
投资评级：
- 给予Memory行业“推荐”评级，预期未来行业性投资机会将持续。
- 上游推荐：上海新阳（谨慎推荐）、中环股份（推荐）、七星电子（推荐）。
- 中游推荐：同方国芯（谨慎推荐）。
- 下游推荐：太极实业（谨慎推荐）、长电科技（推荐）。
风险提示：
- Memory进口替代进程不及预期。
- 行业竞争加剧。
- 价格战风险。
- 并购整合风险。
- 政策扶持不及预期。

产业链全景

Memory产业链包括：

上游：晶圆片、化学材料、IC设计。
中游：半导体代工、加工设备。
下游：芯片封装测试。

国内企业在各环节均有布局，且随着国内Memory产业的快速发展，产业链上的公司有望受益。

受益标的

上游	公司	评级	说明
上海新阳	300236	谨慎推荐	半导体化学龙头，拓展大硅片、晶圆制造等领域
中环股份	002129	推荐	单晶硅王者，大硅片替代空间大
七星电子	002371	推荐	稀缺性高的半导体设备供应商

中游	公司	评级	说明
同方国芯	002049	谨慎推荐	800亿定增项目，布局存储全产业链

下游	公司	评级	说明
太极实业	600667	谨慎推荐	国内DRAM测封纯正标的，切入芯片制造领域
长电科技	600584	推荐	全球测封巨头，国内虚拟IDM核心