深度报告-20260812-财信证券-存储行业深度报告_AI引爆存储需求_供给约束支撑行业高景气周期_40页_1mb

电子行业深度报告总结

核心内容概述

本报告分析了电子行业，尤其是存储行业在 AI 技术驱动下的发展情况。存储器作为计算机数据存储与交互的核心载体，其需求结构因 AI 推理和算力基建的兴起而发生显著变化。当前存储行业正处于由 AI 带来的超级景气周期，呈现出供需紧俏、量价齐升的高景气格局。

主要观点

• AI 驱动存储需求增长：AI 从单模态转向多模态，推动了存储器需求向大容量和高性能方向发展，尤其是服务器端的 HBM、DDR5 与企业级 SSD 需求显著增长。
• 存储行业周期性强：由于存储产品高度标准化和市场集中度高，存储行业具有较强的周期性特征，波动幅度远大于半导体其他细分领域。
• 供需结构重塑：随着 AI 基础设施投资增加，存储行业进入结构性景气周期，供给端原厂扩产趋于谨慎，中长期产能缺口仍具刚性。
• 国产替代加速：国内企业在 DRAM 和 NAND 领域的技术突破和政策支持下，正逐步突破海外垄断，成为行业增长的重要推动力。

关键信息

需求端

• AI 推理需求爆发：AI 服务器存储需求大幅增长，2026 年全球 AI 服务器出货量同比增长 28% 以上，服务器端存储需求有望高增。
• 云厂商资本开支高增：全球九大云厂商资本开支预计同比增长 79% 至 8300 亿美元，推动 AI 服务器市场扩张。
• AI 手机与 PC 渗透率提升：预计 2029 年 AI 手机渗透率达 54.0%，AI PC 渗透率达 69.2%。
• 存储容量与性能提升：AI 手机和 PC 需要更大容量和更高性能的存储产品，如 LPDDR5X、UFS4.1、SSD 等。

供给端

• 原厂扩产趋于谨慎：2026 年行业资本开支增长但重心聚焦于制程升级，传统 DRAM、NAND 有效供给增量有限。
• 市场格局：全球 DRAM 市场由三星、海力士、美光主导，合计市占率高达 90.5%；NAND 市场由三星、海力士、美光、铠侠、闪迪主导，合计市占率达 89.9%。
• 国内企业突破：长鑫存储在 DRAM 领域、长江存储在 NAND 领域实现了核心技术突破，市场份额稳步提升。

技术演进

• HBM 技术：HBM 作为高带宽存储解决方案，成为 AI 算力基建的重要支撑。
• 存算一体技术：通过将计算单元与存储单元集成，提升数据处理效率，降低功耗。
• 存储容量与性能需求增长：随着 AI 模型参数量增加，对存储容量和速度的要求也随之提升。

行业增长预测

• 存储器产值：预计 2026 年存储器产值将达 8893 亿美元，同比增长 296%；2027 年产值预计达 1.28 万亿美元，同比增长 44%。
• DRAM 与 NAND 增长：2026 年 DRAM 产值预计达 6187 亿美元，同比增长 303%；NAND Flash 产值预计达 2706 亿美元，同比增长 280.7%。

投资建议

• 行业评级：维持“领先大市”评级。
• 关注企业：建议关注存储芯片设计厂商兆易创新、北京君正，以及具备技术突破和政策支持的国内存储企业。
• 增长驱动因素：AI 算力需求、企业级存储市场扩张、国产替代进程加速。

风险提示

• 宏观经济波动：可能影响行业需求。
• 需求不及预期：AI 应用进展可能不如预期。
• 市场竞争加剧：可能导致价格战。
• 技术升级迭代：新技术可能对现有产品造成冲击。
• 原材料价格波动：可能影响成本控制。

结论

AI 技术的快速发展正在重塑存储行业的需求结构和供给格局，推动行业进入高景气周期。国内企业在技术突破和政策支持下，正逐步缩小与海外企业的差距，成为行业增长的重要力量。建议投资者关注 AI 推动下的存储需求增长和国产替代趋势。