存储行业：供需改善下NAND价格拐点趋近，高端存储和端侧创新带来增量需求_24页_1mb

存储行业深度报告总结

核心内容

存储行业在2025年将围绕消费类产品边际复苏、高端存储器国产替代和端侧存储扩容创新三大主线展开。行业整体供需格局改善，NAND价格拐点趋近，高端存储器需求持续旺盛，国内存储厂商加速技术突破和市场渗透。

主要观点

• 供需格局改善：海外存储原厂通过减产和去库存，带动NAND等产品价格边际回升，部分存储模组厂商盈利能力有望修复。
• 高端存储器景气延续：HBM等高端存储器需求持续增长，国内厂商如长鑫存储、长江存储在技术上快速追赶，推动国产替代进程。
• 端侧存储扩容：AI端侧产品（如手机、PC、可穿戴设备）存储容量持续提升，推动存储模组和利基存储芯片需求增长。
• 存算一体创新加速：传统架构受限于“存储墙”和“功耗墙”，存算一体方案成为突破瓶颈的重要方向，如华邦电CUBE等定制化存储方案。

关键信息

一、存储行业不同细分领域表现分化

• 价格表现：高端存储器价格持续上升，消费类产品价格承压，NAND价格跌至周期底部。
• 需求变化：AI渗透率提升带动端侧存储需求增长，云厂商资本开支指引积极。
• 库存状况：海外存储原厂库存趋近健康水平，存储模组厂商库存持续去化。

二、原厂减产改善供需格局

• 存储原厂策略：三星、美光、SK海力士等厂商将资本开支聚焦于HBM等高端产品，NAND减产。
• 库存改善：美光、SK海力士等库存周转天数已接近健康水平，中国台湾存储模组厂商收入逐步企稳。

三、高端存储器景气延续，国产替代进程加速

• HBM市场增长：美光将2025年HBM市场规模指引从250亿美元提升至300亿美元，SK海力士HBM收入同比增长超4.5倍。
• 国内厂商突破：长江存储发布基于Xtacking技术的PCIe5.0固态硬盘，长鑫存储推出LPDDR5产品，部分产品性能媲美海外厂商。
• 出口管制影响：美国对先进DRAM和HBM的出口管制趋严，加速国内存储产业链国产化进程。

四、端侧存储扩容趋势确立，存算一体创新加速

• AI端侧需求增长：AI手机、AIPC、AI眼镜等产品存储容量显著提升，推动端侧存储需求增长。
• 存算一体方案：包括近存计算（如HBM）和存内计算（如NOR、RRAM等），有助于解决存储和功耗瓶颈。
• 华邦电CUBE方案：提供高带宽、低成本、灵活的定制化存储方案，适用于边缘侧AI应用。

投资建议

• 存储模组厂商：江波龙、佰维存储、德明利、朗科科技、大为股份等。
• 利基存储芯片厂商：兆易创新、普冉股份、聚辰股份、东芯股份、恒烁股份、北京君正、复旦微电等。
• 存储产业链配套厂商：联芸科技、深科技、有方科技、同有科技、香农芯创等。
• HBM封装设备/材料厂商：北方华创、中微公司、拓荆科技、中科飞测、华海清科、盛美上海、芯源微、精测电子等。

风险提示

• 下游需求不及预期
• 行业竞争加剧
• 宏观经济形势变化
• 存储国产替代进程不及预期
• 长江存储等受美国出口管制加剧

行业评级

• 推荐：行业基本面向好，预期行业指数超越基准指数。
• 中性：行业基本面稳定，预期行业指数跟随基准指数。
• 回避：行业基本面转弱，预期行业指数弱于基准指数。

股票评级

• 强烈推荐：预期公司股价涨幅超越基准指数20%以上
• 增持：预期公司股价涨幅超越基准指数5-20%之间
• 中性：预期公司股价变动幅度相对基准指数介于±5%之间
• 减持：预期公司股价表现弱于基准指数5%以上

附录

• 分析师承诺：分析师研究观点清晰、准确，与薪酬无直接或间接关系。
• 评级说明：基于报告发布日后6-12个月内公司股价或行业指数相对基准指数的预期表现。
• 重要声明：本报告由招商证券编制，仅作参考，不构成投资建议，保留追究法律责任的权利。