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存储行业总结：2026-2028年展望

核心内容

2026-2028年存储行业整体呈现供不应求趋势，尤其是HBM、DRAM和NAND产品，市场波动主要受AI基础设施需求增长和产能释放节奏影响。尽管海外厂商如SK海力士、三星电子和美光积极扩产，但整体供应仍难以完全满足需求，导致价格持续上涨，毛利率提升。同时，中国内地厂商如长鑫科技和长江存储的竞争力不断提升，进一步推动行业格局变化。

主要观点

1. HBM市场

   • HBM4/HBM4E上市后，价格或显著攀升，毛利率倒挂现象有望收窄。
   • 2026年HBM供应或可满足需求，但2027年存在缺口，预计供需缺口持续至4Q27。
   • 英伟达、AMD、博通等主要加速器厂商对HBM的配置需求在2026/2027年分别达到5.0/7.9EB，其中英伟达HBM配置最高，占主导地位。
   • SK海力士维持行业龙头地位，HBM4和HBM4E技术优势明显，良率和客户认证壁垒稳固。

2. DRAM市场

   • Agentic AI推动数据中心CPU和传统DRAM需求增长，2026/2027年DRAM需求分别达46.9/57.3EB。
   • 2026年DRAM供应或基本满足需求，但2027年仍存在缺口，预计价格至少在4Q27前保持环比上涨。
   • SK海力士、三星电子、美光等厂商加速扩产，长鑫科技产能持续提升，预计2028年底月产能达50万片。
   • 长协签订有助于稳定价格，预计DRAM价格在2026/2027年分别上涨至1.69/2.19美元/Gb，毛利率维持在80%以上。

3. NAND市场

   • NAND厂商如SK海力士、美光、铠侠、闪迪积极扩建产能，2026/2027年NAND需求分别上调至1381/1703EB。
   • 2026年NAND供应或略低于需求，2027年供需关系趋近，但仍供不应求，预计单价持续上涨至4Q27。
   • SK海力士加速推进3D/4D NAND技术，预计2026年底375层产品开始量产，2028年NAND产能将达25.5万片/月。
   • NAND市场周期属性未变，可能在周期下行时出现价格波动。

关键信息

• HBM需求：预计2026/2027年全球HBM需求分别为5.0/7.9EB，2028年达11.0EB。
• HBM供应：2026/2027年全球HBM供应分别为5.1/7.5EB，预计2027年仍存在缺口。
• DRAM需求：2026/2027年全球DRAM需求分别为46.9/57.3EB，2028年达67.1EB。
• DRAM供应：2026/2027年全球DRAM供应分别为46.6/56.2EB，预计2027年供需缺口持续。
• NAND需求：2026/2027年全球NAND需求分别为1381/1703EB，2028年达2108EB。
• NAND供应：2026/2027年全球NAND供应分别为1317/1633EB，仍低于需求，预计2027年供不应求趋势持续。

投资分析

• 投资建议：继续看好长鑫科技等中国内地存储厂商前景，认为其在全球市场中竞争力增强。
• 风险提示：
  • AI基建放缓；
  • 加速器/数据中心架构变化导致存储器需求不及预期；
  • 存储厂商加速扩产可能推动单价下跌；
  • 投资者过度使用杠杆或衍生品导致股价波动；
  • 估值方法共识变化可能引发股价调整。

公司分析

SK海力士 (000660 KR)

• HBM4：开始大规模发货，与10家客户签订长协，维持买入评级。
• 财务预测：
  • 2026/2027/2028年收入分别预计为364.7/561.3/659.4万亿韩元。
  • 2026/2027/2028年每股盈利分别预计为39.1/49.9/58.4万韩元。
  • 估值乘数调整至2023-2028年平均11倍市盈率，目标价下调至280万韩元。
• 产能预测：2026年底DRAM月产能预计达57.5万片，NAND月产能预计达21万片；2027年底DRAM月产能预计达65.5万片，NAND月产能预计达23万片；2028年底DRAM月产能预计达74万片，NAND月产能预计达25.5万片。

总结

存储行业在AI基础设施的推动下，短期内仍将维持供不应求态势，价格和毛利率有望持续上升。尽管厂商扩产计划加速，但供需关系在2027年之前仍将存在，价格波动可能由长协签订缓解。SK海力士、三星电子、美光等主要厂商在HBM、DRAM和NAND领域均表现出较强的竞争力，而中国内地厂商如长鑫科技、长江存储也在不断提升市场份额。整体来看，存储行业周期属性依然显著，需关注AI需求变化、产能释放节奏及市场波动风险。