深度报告-20230305-国金证券-电子行业研究_半导体行业深度系列一_2023年存储板块有望迎来拐点_20页_2mb

电子行业研究总结

核心内容

本报告主要聚焦于半导体行业，尤其是存储板块的周期性变化及投资机会。报告指出，2023年全球半导体市场将进入下行周期，而存储器作为第二大细分市场，其波动性高于整个行业。预计2023年下半年存储板块将迎来止跌反弹，其中NAND Flash或先于DRAM复苏。

主要观点

• 存储行业周期性强：存储器市场与全球半导体市场同步，但波动性更大，历史上呈现1-2年的周期性。
• 2023年存储市场进入下行周期：全球半导体市场规模预计为5566亿美元，同比下降4%；存储器市场规模预计为1116亿美元，同比下降17%。
• 库存去化自下而上：2022年Q3主要存储器模组厂商库存月数已出现拐点，预计2023年上半年存储原厂库存也将迎来拐点。
• NAND或先于DRAM复苏：NAND厂商已开始实质性减产，供需差缩小，预计2023年下半年NAND价格将反弹，而DRAM由于扩产延后及需求疲软，复苏将稍晚。
• 资本开支反映周期变化：存储厂商大幅削减资本开支，标志着行业可能接近周期底部。
• 存储价格有望趋稳：随着供需改善，DRAM价格在2023年下半年可能趋稳，NAND价格有望止跌反弹。

关键信息

存储行业周期与市场趋势

• 存储器市场规模2023年预计为1116亿美元，同比下降17%。
• 2023年全球半导体市场规模预计为5566亿美元，同比下降4%。
• 存储器在2023年占比下降至20%，低于2021年的28%。
• 存储器价格跌幅已超历史最大跌幅（50%），但随着产能削减和需求增长，价格有望趋稳或反弹。

存储市场结构

• DRAM：三星、海力士、美光占据市场主导，CR3达95%以上，行业集中度高。
• NAND Flash：三星、铠侠、海力士为前三大厂商，CR3达65%，CR6接近95%。
• NOR Flash：市场占有率较低，但具备一定增长潜力。
• 其他存储芯片：如EEPROM、SRAM等，市场占有率较低，但仍有增长空间。

供需变化

• NAND：2023年供给位元增幅为21%，需求位元增幅为27%，供需差缩小至4%。
• DRAM：2023年供给位元增幅不足10%，需求位元增幅为10%，供需差缩小至7%。
• 供需改善慢于NAND：由于DRAM扩产延后，其复苏将晚于NAND。

资本开支与价格走势

• 存储厂商大幅削减资本开支，标志着行业可能接近周期底部。
• DRAM价格跌幅超60%，已超过历史最大跌幅，但预计2023年下半年将趋稳。
• NAND价格跌幅趋缓，2023年预计跌幅为13-23%，尤其是3D NAND Wafer已跌破现金成本，价格反弹预期增强。

投资建议

• 海外存储大厂：美光（价格先行标的）、三星（NAND Flash超3成份额）、海力士。
• 国内存储标的：兆易创新（Nor Flash龙头）、东芯股份（SLC NAND占比高）、普冉股份（Nor Flash）、澜起科技（DDR5接口芯片）、聚辰股份（EEPROM）、北京君正（车用DRAM龙头）、恒烁股份（Nor Flash）、江波龙、佰维存储、德明利（存储模块厂商）。

风险提示

• 海外市场经济衰退：可能影响2023年存储产品需求。
• 库存持续增长：若需求持续低迷，库存可能再次上升，延缓周期底部到来。
• 存储价格持续下跌：尽管预计跌幅放缓，但存在持续下跌风险。
• 中美贸易摩擦加剧：美国加大对中国半导体行业的制裁可能影响国内存储企业的发展。

行业投资评级说明

• 买入：预期未来3-6个月内该行业上涨幅度超过大盘15%以上。
• 增持：预期未来3-6个月内该行业上涨幅度超过大盘5%-15%。
• 中性：预期未来3-6个月内该行业变动幅度相对大盘在-5%至5%。
• 减持：预期未来3-6个月内该行业下跌幅度超过大盘5%以上。

特别声明

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