电子行业专题报告：存储复盘，拐点已至，AI存力革新_33页_3mb

报告摘要

本报告主要围绕存储行业周期波动、价格变化、技术升级以及AI对存储需求的影响进行分析，认为当前存储行业已进入价格底部区间，AI的快速发展将引领新一轮上升周期。

存储行业周期性：存储行业具有明显的周期性特征，需求、供给、库存和价格是主要跟踪要素。上行周期通常由新产品和容量提升推动，下行周期则由需求疲弱和行业去库存导致。
当前价格已见底：本轮存储周期中，主流DRAM ASP价格自2021年7月高点以来已下降69.1%，下行持续23个月，超过前几轮周期。
AI驱动存储需求：AI服务器内存需求大幅增长，尤其是DDR5和HBM。AI服务器的DRAM容量是普通服务器的6-8倍，NAND容量为3倍，推动存储市场进入新的增长阶段。
行业集中度提升：DRAM和NAND市场由三星、美光、SK海力士等头部厂商主导，技术升级和产能调整推动行业集中度持续提升。
库存与减产：头部厂商已开始减产，以应对库存压力和供需失衡，预计部分产品价格将在2023年底前回升。
技术迭代：存储技术不断升级，如DDR5、LPDDR5X、HBM3等，提升存储密度和性能，降低单位成本。

行业数据：
- 2022年全球存储市场规模达1298亿美元，占半导体市场的22.6%。
- 2021年存储行业同比增长30.9%，市场规模达1538亿美元。
- 2023年全球数据中心资本开支预计增长至2410亿美元，长期来看，预计2027年将达5000亿美元。
市场趋势：
- 2023年AI服务器需求将显著增长，推动HBM市场从2023年的31.6亿美元增长至2026年的136.2亿美元，CAGR达62.6%。
- 2023年服务器出货量预计略降2.9%，但长期增长趋势不变。
厂商动态：
- SK海力士、三星和美光均宣布减产，其中SK海力士和美光资本开支下降超40%。
- SK海力士预计2023年将开始小规模量产1B纳米DRAM和238层NAND。
- 美光预计2024年初开始大规模生产HBM3，并已提供样品。
- 三星计划在2024年HBM产能翻倍，以应对AI带来的需求增长。
市场应用：
- 计算与无线通信合计占存储产品应用的80%以上。
- 移动端DRAM需求增长，高容量机型成为趋势。
- 服务器DRAM需求持续增长，成为DRAM最大应用领域。

存储器：半导体第二大子版块，强周期属性
- 存储器市场规模和波动性高于半导体行业整体。
- DRAM和NAND占据存储市场主导地位。
- 中国在全球存储市场中占据重要地位。
前几轮周期存储行业如何表现？
- 2014年存储市场达到高峰，随后进入下行周期。
- 2020年存储市场略有增长，但2021年之后价格持续下行。
- 存储厂商股价通常早于DRAM价格见底。
本轮周期价格已至底部区间，AI有望引领新一轮上升周期
- 价格已进入底部区间，AI需求将成为推动存储市场增长的关键因素。
- 三大厂商减产以应对供需失衡，部分产品价格有望回升。
- AI服务器需求推动HBM市场快速增长，预计2026年市场规模达136.2亿美元。