20261006-国盛证券有限责任公司-电子周观点_美光业绩超预期_存储价格延续上涨_12页_871kb

存储行业周观点总结

核心内容

本周观点聚焦于存储行业在 AI 服务器需求推动下的持续景气，重点分析了 DRAM、NAND Flash 和 HBM 的价格走势及供需情况，并以美光业绩为案例验证了行业高景气度。同时，对相关产业链的投资机会进行了梳理，并提示了潜在风险。

主要观点

1. 存储价格延续上涨，AI 驱动需求扩张

• 存储价格整体上行，但涨幅有所分化：
  • Conventional DRAM：4Q26 环比上涨 10%-15%，较 3Q26 收敛。
  • HBM Blended：4Q26 环比上涨 15%-20%，涨幅进一步扩大。
  • NAND Flash：4Q26 环比上涨 15%-20%，涨幅较 3Q26 收敛。
• 企业级 SSD：2026 年位元需求年增将突破 80%，4Q26 合约价涨幅有望扩大。
• Server DRAM：供需偏紧格局延续，主要受 CSP 和服务器 OEM 增加采购、封测产能及前段制程弹性受限影响。
• 消费级存储：PC 与手机端需求承压，但先进产能向 AI 服务器倾斜，价格维持上涨但涨幅趋缓。

2. HBM 供给持续紧张，2027 年价格预期进一步上修

• HBM Blended ASP：预计 2027 年同比增长 121%，主要由于：
  • 与 Conventional DRAM 竞争有限的先进制程和晶圆产能；
  • 新一代 HBM 良率提升需时间；
  • 高价 HBM4 占比提升，HBM4E 将于 2027 年下半年放量。
• 8hi 方案：作为应对 HBM 供给紧张的替代方案，虽可降低 BOM 成本，但单位容量成本仍高于 12hi，预计 per Gb 价格较 12hi 溢价 10%-20%。

3. 美光业绩验证 AI 存储高景气，2027-2028 年供需仍趋紧

• 美光 FY2026 Q4 营收：542.29 亿美元，环比增长 31%，同比增长 379%。
• Non-GAAP 毛利率：达到 87.0%，盈利能力显著提升。
• DRAM 与 NAND 量价齐升：
  • DRAM 收入 397.7 亿美元，环比增长 27%，bit 出货量环比增长 4%-6%，ASP 环比上涨 17%-19%。
  • NAND 收入 141.0 亿美元，环比增长 42%，bit 出货量增长约 10%，ASP 上涨约 30%。
• HBM 与数据中心 SSD：成为美光 2027 年的核心增长点，HBM 产量已提前售出，价格明显高于 2026 年。
• 未来需求可见度提升：美光已签署 26 份战略客户协议，覆盖 2030 年前约 35% 的总营收，2027 年超过 75% 的产能已获客户承诺。

4. 行业供需仍偏紧，新增产能释放缓慢

• 供需紧张延续：2027-2028 年行业需求将超过供给，即使新增洁净室贡献产能，供需平衡仍需较长时间。
• 产能爬坡周期长：新增洁净室从建设到规模化产能需多个季度，HBM3E 向 HBM4/HBM4E 升级也加剧晶圆资源消耗。
• 美光产能规划：
  • 爱达荷一号工厂预计 2027 年中开始产出；
  • 新加坡 HBM 封装设施预计 2027 年初运营；
  • 爱达荷二号工厂及日本新 DRAM 工厂预计 2028 年末产出；
  • 新加坡新 NAND 厂预计 2028 年下半年投产；
  • 纽约新工厂预计 2030 年投产。

关键信息

• 存储价格上涨趋势未逆转，HBM 与企业级 SSD 需求增长显著。
• AI 服务器需求是推动存储行业景气的核心因素。
• 美光业绩超预期，验证了 AI 存储的高增长潜力。
• HBM 供给约束和产品结构升级共同推高价格预期。
• 8hi 方案虽有助于降低系统成本，但单位容量成本仍高于 12hi。
• 美光库存周转天数上升，主要因备货及成本确认节奏变化。
• 美光 FY2027 Q1毛利率预计为全年低点，后续将逐步回升。

相关标的

风险提示

1. 下游需求不及预期：AI 服务器需求增长不及预期可能影响存储价格。
2. 存储价格上涨不及预期：价格上行趋势可能因市场供需变化而放缓。
3. 地缘政治风险：全球供应链受地缘政治影响，可能对存储行业造成冲击。

投资建议

• 投资评级：增持（维持）
• 行业走势：AI 基础设施持续拉动高性能存储需求，HBM、Server DRAM 和企业级 SSD 供需偏紧，行业景气度有望维持。

分析师信息

• 佘凌星
  执业证书编号：S0680525010004
  邮箱：shelingxing1@gszq.com

• 钟琳
  执业证书编号：S0680525010003
  邮箱：zhonglin1@gszq.com

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